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林春

作品数：8 被引量：13H指数：3
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇探测器
  • 2篇锑化合物
  • 2篇锑化镓
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇酒石
  • 2篇酒石酸
  • 2篇化合物
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇光电
  • 2篇红外
  • 2篇腐蚀速率
  • 2篇半导体器件
  • 2篇波段
  • 1篇导体
  • 1篇电器件
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱激光...

机构

  • 8篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 8篇李爱珍
  • 8篇林春
  • 7篇郑燕兰
  • 3篇简贵胄
  • 3篇张永刚
  • 2篇方祖捷
  • 2篇陈高庭
  • 2篇柏劲松
  • 1篇金世荣
  • 1篇耿建新

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2004
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
GaInAsSb共振腔增强光电探测器设计
1999年
本文用线性插值和介电常数的计算模型，得到了ＧａＩｎＡｓＳｂ 四元系２．４μｍ探测器材料的组份及其折射率。将传统的ｐｉｎ ＧａＩｎＡｓＳｂ 探测器结构置于两组ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂＢｒａｇｇ 反射镜之间，可以得到接近１ 的量子效率。本文用传递矩阵方法（ＴＭＭ） 计算了ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂ Ｂｒａｇｇ 反射镜的反射率与波长及反射镜个数的关系，并对探测器的结构进行了设计，讨论了吸收系数与波长的函数关系对探测器量子效率所产生的影响。
林春李爱珍
关键词：反射率量子效率光电探测器
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系。包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水;氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸、和双氧水。这三种腐...
李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
文献传递
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液
本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液。它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液...
李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
文献传递
用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料被引量：5
2001年
用固态源分子束外延方法，在 ＧａＳｂ衬底上成功地生长出四元系 Ⅲ—Ｖ族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料，并用这些材料制备了 ２μｍ波段室温准连续奔波导 ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱。
李爱珍郑燕兰林春
关键词：锑化物分子束外延红外激光器
2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器被引量：5
1998年
报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。
陈高庭柏劲松张云妹耿建新方祖捷李爱珍郑燕兰林春
关键词：中红外波段激光器量子阱材料MBE生长
1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器被引量：5
2000年
报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。
柏劲松陈高庭张云妹方祖捷李爱珍郑燕兰林春
关键词：量子阱激光器
半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征
1998年
在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式．计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系．根据本文的简单模型，线性比例系数Ｉ／Ｉ０实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Ａｒｈｅｎｉｕｓ图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数．
金世荣郑燕兰林春钟金权李爱珍
关键词：半导体PL
用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究被引量：1
2001年
提出了一种适用于 GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸 系腐蚀液。该腐蚀液对于 GaSb和 AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用 合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率，有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐 蚀液对 AlGaAsSb的腐蚀速率与其 Al组份呈抛物线关系，在合适的 Al组份下可对 AlGaAsSb和 GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。
简贵胄郑燕兰林春李爱珍张永刚
关键词：半导体光电器件
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