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江鉴

作品数：9 被引量：7H指数：2
供职机构：中国航天科技集团公司更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学轻工技术与工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 8篇液相外延
  • 7篇硅
  • 2篇SI
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子元
  • 1篇电子元件
  • 1篇液相外延层
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂选择
  • 1篇射线衍射
  • 1篇双晶
  • 1篇外延层
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子工艺
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇晶向
  • 1篇发光
  • 1篇发光机理

机构

  • 9篇浙江大学
  • 2篇中国航天科技...
  • 1篇中国航天科技...

作者

  • 9篇江鉴
  • 7篇张仕国
  • 1篇袁骏
  • 1篇张仕国

传媒

  • 4篇上海航天
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇物理
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
Si∶Er——硅新的发光途径被引量：2
1996年
本文综述了研究Ｓｉ∶Ｅｒ发光的重要意义；阐述了已提出的发光机理的模型及存在的问题；并从半导体材料的角度提出了未来Ｓｉ∶Ｅｒ发光的研究重点。
张仕国江鉴
关键词：发光机理
电子元器件性能与液相外延工艺
1997年
分析了液相外延（ＬＰＥ）在微电子工艺中的状况及其原理，概述了ＬＰＥ在器件制造中的应用，指出了ＬＰＥ的电子元器件的优良特性。
江鉴张仕国
关键词：电子元件液相外延微电子工艺电子器件
硅液相外延的线、点生长被引量：2
1998年
研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。
江鉴张仕国
关键词：液相外延硅
硅液相外延的最新进展被引量：1
1996年
文章系统综述了硅液相外延最新进展，总结了近期硅液相外延技术在系统改进、低温外延、器件应用等各方面的成果，指出硅液相外延技术将在硅器件制造中发挥更大的作用。
江鉴张仕国
用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层
1998年
以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况．
张仕国江鉴陈立登袁骏张民杰
关键词：液相外延
硅液相外延研究
江鉴
硅液相外延的溶剂选择被引量：1
1996年
本文系统综述了硅液相外延中对各种溶剂的选择。重点叙述了Cu、Ga、Au、In、Sn、Pb等纯金属及Ag基、Au基、Al基合金作为溶剂,对硅液外延薄膜的影响。最后指出只要根据器件对外延层及工艺成本等的要求,可以找到适当的溶剂材料进行硅液相处延。
江鉴张仕国
关键词：溶剂
硅液相外延生长的晶向自动偏离现象被引量：2
1999年
通过对液相外延的薄膜Ｘ衍射测试，结果显示不论衬底是否偏离［１１１］晶向，外延层在同一衍射位置都出现了双峰。经比较分析，确认了硅（１１１）面在液相外延生长时存在晶向自动偏转现象。
江鉴张仕国
关键词：液相外延晶体生长硅
硅液相外延工艺研究被引量：3
1998年
根据硅液相外延研究过程中的现象及结果，具体讨论了硅液相外延工艺中四个关键环节，给出了衬底处理，溶源，衬底保护，残余熔体处理的方法。
江鉴张仕国
关键词：硅液相外延LPE衬底
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