汪峰
- 作品数：25 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术农业科学更多>>
- 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
- 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善...
- 张荣修向前汪峰于英仪谢自力俞慧强李斌斌顾书林沈波江若琏施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
- 文献传递
- 单缝夫琅禾费衍射的教法分析
- 2006年
- 本文分析比较了单缝夫琅禾费衍射的两种讲授方法，提出了用波带法分析明条纹所遇到的问题，并提出了一种新的讲授方法。
- 吴王杰汪峰
- 关键词：夫琅禾费衍射单缝教法讲授方法条纹
- 用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究被引量：1
- 1999年
- 以SiH4为生长气源，利用VLS（气相一液相一固相）互反应生长机制，在RT－CVD生长设备上通过向（111）硅衬底表面引入Au，生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电镜观察，并分析讨论了生长的异常现象。
- 陆阳施毅刘建林汪峰顾书林朱顺民郑有
- 关键词：真空微电子技术
- 模板法合成多孔铝酸钴/氧化铝复合材料(英文)
- 以多孔氧化铝(AAO)为模板,通过两步煅烧分别合成了氧化钴(CoO)纳米管和多孔铝酸钴/氧化铝复合材料。透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)的分析表明该复合材料是由具有尖晶石型结构的CoAlO和γ...
- 汪峰马书云董秋云
- 关键词：NANOMATERIALS
- 文献传递
- 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法
- 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法，采用NH<Sub>4</Sub>OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。NH<Sub>4</Sub>OH溶液浓度控制在5-25%，腐蚀温度在60～85℃之间。此方法不仅具有很高的...
- 施毅郑有炓汪峰刘建林陆阳吴军张荣顾书林胡立群韩平江若琏朱顺明
- 文献传递
- 线缺陷构成的二维T型光子晶体波导特性研究
- 2009年
- 对由线缺陷构成的T型光子晶体波导,利用时域有限差分法(FDTD)和平面波展开法(PWM)研究了光波在其中的传播规律,并通过模式耦合理论(CMT)计算了其传输和反射等性质,结果表明只有满足模式匹配条件时,才能得到很高的光传输效率。计算了线缺陷的光子晶体能带特性,模拟光波在光子晶体直角转折传播的场图,得到了电磁场Ey分量的三维立体图以及在y-z和x-z面内的分布图。模拟结果显示,光波在T型光子晶体波导中传播时的损耗非常低,光波频率处于光子带隙时,光基本上沿波导传播,只有很少的一部分到达周围的晶格之中,而且分支波导中场强基本相等。
- 董秋云汪峰吴方平
- 关键词：光子晶体波导光子带隙微腔
- 氧化钴纳米管的制备和模板剂多孔氧化铝的孔洞结构
- 2009年
- 以草酸电解液制备的多孔氧化铝作为模板,采用硝酸钴溶液浸润法,合成出氧化钴纳米管.通过对分叉氧化钴纳米管成因研究,指出氧气气泡的作用是形成多孔氧化铝纳米孔洞结构的主要驱动力.
- 汪峰吴方平董秋云华正和
- 关键词：阳极氧化多孔氧化铝氧化钴纳米管纳米材料
- 横向外延氮化镓材料微结构研究
- Ⅲ族氮化物是光电性能优良的直接带隙宽禁带材料，是发展短波长光电子器件十分理想的半导体材料;同时其优良的电学性质使其在高温、强场、大功率电子器件领域也具有重要的应用。本文系统地研究了横向外延GaN材料的晶体缺陷，位错运动，...
- 汪峰
- 关键词：半导体材料氮化镓晶体缺陷位错运动
- 文献传递
- Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
- 2002年
- 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5
- 汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓
- Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
- 本文对在Si(111)衬底上用HVPE方法对横向外延GaN材料的微结构和光学性质进行了研究。透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO掩膜腐蚀角的不同(分别为90°和66°),...
- 汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波陈鹏周玉刚李卫平施毅郑有炓
- 关键词：微结构HVPESI(111)衬底
- 文献传递
