牛晨亮
- 作品数：28 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量
- 2007年
- 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法。通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果。
- 李若凡武一宾杨瑞霞马永强商耀辉牛晨亮
- 关键词：载流子浓度误差分析
- 晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器
- 本申请适用于半导体技术领域，提供了晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器，该方法包括：将GaAs衬底放置于衬底托盘上；在GaAs衬底的上方生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上方以第一预设温度生长第一预设数量...
- 于根源师巨亮牛晨亮陈宏泰房玉龙
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 本文介绍了用分子束外延(MBE)方法制备隧穿型量子效应薄膜材料的技术。随着半导体材料“能带工程”越来越广泛的应用到如无线通信、宽带网络、照明工程等各个领域,量子效应也越来越多的收到研发工程师的重视。隧穿型量子效应薄膜材料...
- 商耀辉武一宾卜夏正王建峰牛晨亮
- 文献传递
- 一种金刚石衬底GaN外延方法
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- 中频脉冲溅射制备绒面ZnO透明导电薄膜被引量：5
- 2006年
- 采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得绒面效果。分析了气压和温度对绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的绒面ZnO透明导电薄膜。
- 刘佳宇杨瑞霞牛晨亮薛俊明赵颖耿新华
- 关键词：透明导电膜
- InAs/GaAs系列量子点研究
- 2009年
- 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。
- 王建峰商耀辉武一宾牛晨亮卜夏正
- 关键词：自组装量子点分子束外延光致发光谱
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料 GaAs 基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果。重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接...
- 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管
- 文献传递
- 衬底表面刻蚀方法及半导体器件
- 本发明提供一种衬底表面刻蚀方法及半导体器件。衬底为SiC衬底或Si衬底，该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，以使反应室满足衬底刻蚀所需的环境条件；向反应室内通入载气，并向反...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
- 2007年
- X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。
- 马永强武一宾杨瑞霞李若凡商耀辉牛晨亮卜夏正王建峰
- 关键词：超晶格分子束外延X射线双晶衍射相干长度
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 2007年
- 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶体结构和晶体表面,并分析了测试结果和器件验证结果,最终得出整套隧穿型量子效应薄膜材料制备技术.
- 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管
