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王万年

作品数:10 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇砷化镓
  • 3篇半导体
  • 2篇电压
  • 2篇电阻率
  • 2篇荧光
  • 2篇深能级
  • 2篇深能级缺陷
  • 2篇能级
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇中子
  • 2篇中子辐照
  • 2篇加速电压
  • 2篇高阻硅
  • 2篇感生电流
  • 2篇半导体材料
  • 2篇半绝缘
  • 2篇半绝缘砷化镓
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇郑州大学
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 10篇王万年
  • 8篇李成基
  • 7篇李韫言
  • 2篇何宏家
  • 1篇杜宝石
  • 1篇张百生
  • 1篇丁永凡
  • 1篇李际周
  • 1篇杨继廉
  • 1篇高之爽
  • 1篇高晖
  • 1篇康健
  • 1篇王中兴

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇全国化合物半...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇低温与超导
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第九届全国化...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 5篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1996
  • 1篇1992
  • 1篇1989
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量
计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式,并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度。
王万年李成基李韫言
关键词:半导体材料加速电压
文献传递
中子辐照高阻硅中深能级缺陷的检测与分析
李成基李韫言王万年
关键词:中子辐照高阻硅深能级缺陷
磁场中生长砷化镓的阴极荧光形貌与低温阴极荧光光谱的研究
从熔体中生长砷化镓时,由于重国引起的热对流,往往在晶体中会产生杂质条纹影响材料的质量,在消除杂质条纹的措施中,除在空间微重力这一理想条件外,在磁场中生长砷化镓晶体已被证明是一个行之有效的方法,在观察杂质条纹的技术中,除传...
李成基李韫言王万年
关键词:砷化镓磁场荧光光谱
文献传递
中子辐照高阻硅中深能级缺陷的检测与分析
李成基李韫言王万年
关键词:中子辐照高阻硅深能级缺陷
文献传递网络资源链接
真空调制YBCO超导电性的原理被引量:2
1992年
用中子衍射等实验发观:在室温和低温真空条件下,YBCO样品结构中的氧也能扩散脱出体外,引起超导电性的显著下降。进一步还发现:在几天之内T_c随时间发生衰减振荡,真空度愈高,振幅愈大,周期愈短.初步认为T_(co)∞T_e^(-β1)cos(ωt+φ),并提出:在室温和低温真空下样品中可移动的离子氧和外部分子氧动态平衡决定T_c的原理。二者合称为T_c的振荡和动态平衡量原理。
高之爽杜宝石彭伟亚高晖王中兴祝长宇康健勋李际周杨继廉张百生丁永凡康健王万年
关键词:电性高温超导体
半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
建立了绝缘电阻大于10<'13>Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。
李成基李韫言王万年何宏家
关键词:半绝缘砷化镓电阻率迁移率
文献传递
氮化镓晶体薄膜的阴极荧光测量
李成基王万年
关键词:半导体材料氮化镓晶体荧光分析
砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量
2000年
计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式 ,并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度。
王万年李成基李韫言
关键词:加速电压砷化镓
半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
2000年
建立了绝缘电阻大于 1 0 13Ω和温度起伏小于 0 .1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响 ,并讨论了各种因素所引起的测量误差。
李成基李韫言王万年何宏家
关键词:半绝缘砷化镓电阻率迁移率
大圆片样品方块电阻测试及径向等高线图的绘制
1989年
本文用微机控制四探针测试系统,按着分区等差方法计算的连续点,描绘出半导体大圆片样品方块电阻的径向等高线图.
王万年
关键词:方块电阻等高线图半导体
全文增补中
共1页<1>
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