王善朋
- 作品数：49 被引量：45H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种室温铁磁半导体材料MnSiP<Sub>2</Sub>及其制备方法和应用
- 一种室温铁磁半导体材料MnSiP<Sub>2</Sub>及其制备方法和应用，该MnSiP<Sub>2</Sub>磁性半导体材料属于四方晶系，I‑42d空间群，晶胞参数为：a＝5.5823(3),<Image file="...
- 王善朋陶绪堂张翔于童童
- 文献传递
- 大尺寸红外非线性光学晶体LiInSe2的生长与退火研究
- 2020年
- 硒铟锂(LiInSe2,LISe)晶体在长波红外激光领域有重要应用价值。目前高质量、大尺寸LISe晶体的稳定生长仍然面临挑战,通过气氛退火后处理工艺能够有效提高晶体光学质量。本文采用定向籽晶垂直布里奇曼法,通过精确控制籽晶熔接,实现大尺寸(∅40 mm×60 mm)LISe晶体的批量稳定制备,为目前国际上报道的最大尺寸LISe晶体。另外,系统探索了LISe晶体的退火工艺,研究表明在740℃、LISe本征气氛下退火150 h,可以明显提高LISe晶体器件光学质量。
- 熊希希王世磊贾宁王善朋陶绪堂
- 关键词：晶体生长晶体退火
- 磷硅镉多晶料的合成方法
- 本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉...
- 陶绪堂张国栋王善朋施琼阮华棚蒋民华
- 文献传递
- 加速坩埚旋转下降技术生长LiInS_2晶体被引量：1
- 2007年
- 本论文采用新的合成方法—高压釜法,利用高纯单质Li(3N)、In(4N)、S(sublimed)为原料,在1120℃下合成了单相、致密的LiInS2多晶料,并对其做了XRD表征。对传统的Bridgman-Stockbarger生长技术进行了改进,实现了加速坩埚旋转下降技术(ACRT),从而获得了较大尺寸的红外非线性光学晶体LiInS2,并对晶体的结构进行了表征。
- 王善朋陶绪堂董春明焦正波蒋民华
- 新型高效红外非线性光学晶体的研究进展
- 利用优秀的中远红外非线性光学晶体通过非线性光学频率变换技术(如:OPO、OPG、DFG等),是获得3～20μm的中远红外相干光源最行之有效的方法,而高效高功率中远红外非线性光学晶体是红外光参量振荡器的核心和基础,由于其在...
- 王善朋陶绪堂
- ZnGeP2晶体生长及后处理的研究
- ZnGeP(ZGP)属于AⅡBⅣCV2型黄铜矿结构半导体化合物,四方晶系,I-42d空间群[1]。具有非线性系数大,热导率高,透过范围宽,机械性能好,可调谐范围宽等优点,被认为是目前综合性能最好的中红外非线性光学材料[2...
- 于童童张翔王善朋陶绪堂
- 关键词：ZNGEP2晶体生长
- 文献传递
- 磷硅镉单晶的生长方法
- 本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩...
- 陶绪堂张国栋王善朋施琼阮华棚蒋民华
- 文献传递
- 磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
- 本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，将单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料，将磷放入双温区石英管的一端，将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端，将双温区石英管抽真空后封结；分别使双温区炉的两...
- 陶绪堂张国栋王善朋施琼阮华棚蒋民华
- 文献传递
- 多元化合物红外晶体生长装置
- 本实用新型提供了一种多元化合物红外晶体生长装置，包括炉体，炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，中部梯...
- 王善朋陶绪堂蒋民华
- 文献传递
- 一种Li<Sub>2</Sub>Se气氛介导的LiInSe<Sub>2</Sub>晶体退火方法
- 本发明涉及一种Li<Sub>2</Sub>Se气氛介导的LiInSe<Sub>2</Sub>晶体退火方法，包括将LiInSe<Sub>2</Sub>晶体置于双温区管式炉中，退火气氛为Li<Sub>2</Sub>Se，Li...
- 王善朋王世磊马超陶绪堂
