王海霞
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- Al-Cu合金{001}_(GP)//{001}_α界面价电子结构分析
- 2011年
- 基于EET理论和Gerold的Al-Cu合金GP区终态原子结构模型,研究了GP区、基体α相的价电子结构,计算了GP区与基体α相形成的界面{001}GP//{001}α的价电子结构。结果表明:GP区的(001)面内外层电子密度差Δρ相差很小,只有1.81%,GP区内外的连续性很好;GP区的(001)面内层、外层与基体α之间的电子密度差Δρ分别为6.29%与4.48%,平均电子密度差为5.38%,(001)α-Al//(001)GP界面连续性很好;GP区的(100)面与基体α之间的电子密度差Δρ为64.13%,(001)α-Al//(100)GP界面连续性较差;GP区向θ″相转变时,θ″相在GP区的(100)面形成比在(001)面形成容易。
- 屈华刘伟东王海霞周刚申晓璐
- 关键词：AL-CU合金GP区EET
- Al-Cu合金GP区形成过程的价电子结构演变被引量：4
- 2010年
- 基于EET理论和Gerold的Al-Cu合金GP区终态原子结构模型,建立GP区价电子结构计算模型,研究GP区价电子结构的演变过程,提出形成过程中GP区点阵常数的计算方法,计算GP区的价电子结构,分析了Cu含量对其价电子结构的影响。结果表明,Al-Cu合金时效过程中GP区是渐进形成的。在形成初期,Spinodal分解机制占主导作用;在形成后期,正常的形核-长大机制占主导作用。随着Cu原子的富集,GP区最强共价A键的共价电子对数nA逐渐增加,B、C、D键的共价电子对数nB、nC、nD逐渐减少。GP区A键变强的原因在于B、C、D键上的共价电子逐渐向A键转移。
- 刘伟东屈华陈超王鑫鑫王海霞
- 关键词：AL-CU合金GP区价电子结构
- Al-Cu合金脱溶相/基体界面价电子结构与界面性能被引量：5
- 2011年
- 基于EET理论,研究Al-Cu合金θ″、θ′、θ与基体α相的价电子结构,计算分析了α/θ"、α/θ′、α/θ界面的价电子结构。研究结果表明:θ"相(001)晶面内外层电子密度相差较大,为2.857nm-2,(001)α//1Al''(001)θ界面电子密度差Δρ为0.13%,使界面电子密度保持连续的原子状态组数σ为102,α/θ″界面的连续性较好;θ′相(001)晶面内外层电子密度相差较大,为11.8207nm-2,(001)α//Al'(001)θ界面Δρ为0.15%,σ为32,α/θ′界面的连续性较差;θ相(001)晶面内外层电子密度相差很大,为21.0716nm-2,(001)α//4/4Cu(001)θ界面Δρ为198.86%,σ为0,σ′为34,α/θ界面的连续性极差。依界面价电子结构可知:α/θ"界面应力较小,稳定性较好;α/θ′界面稳定性比α/θ"差,α/θ′界面应力比α/θ"界面的应力大;α/θ界面稳定性比α/θ"、α/θ′界面都差,α/θ界面应力比α/θ"、α/θ′界面应力都大。
- 屈华刘伟东王海霞
- 关键词：AL-CU合金价电子结构EET
