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王生国

作品数：12 被引量：17H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文
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领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇MMIC
  • 5篇电路
  • 5篇微波集成
  • 5篇微波集成电路
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  • 3篇电子迁移率
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机构

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  • 1篇河北工业大学

作者

  • 12篇王生国
  • 3篇刘帅
  • 2篇张务永
  • 2篇蔡树军
  • 2篇高学邦
  • 2篇李静强
  • 2篇胡志富
  • 2篇王同祥
  • 2篇付兴中
  • 2篇许春良
  • 1篇潘宏菽
  • 1篇张书敬
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  • 1篇银军
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  • 1篇李亮

传媒

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  • 1篇河北省科学院...
  • 1篇电子器件
  • 1篇2005全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
宽带GaAs MMIC功率放大器的设计被引量：1
2005年
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.
张务永王翠卿王生国王同祥张慕义
关键词：宽带MMIC功率HFET
SiC芯片在片测试分析
本文对利用电子束、离子束技术研制的SiC芯片进行了S参数在片测试方法研究,利用ADS2003软件,编写优化方程进行仿真,准确计算出SiC器件的单向功率增益Gu、共源电路短路下的电流增益H21,介绍了两种方法计算得出SiC...
王同祥王生国李亮潘宏菽
关键词：电子束S参数仿真碳化硅
文献传递网络资源链接
GaAs MESFET/PHEMT大信号建模被引量：1
2007年
大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的ColdFET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.
张书敬杨瑞霞王生国杨克武
关键词：砷化镓场效应晶体管微波集成电路
Ka波段40W功率放大器MMIC的设计和实现
2023年
采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路稳定性,末级器件采用改进型电抗式Bus-bar总线合成匹配网络,在保证各路平衡性的同时,调整器件电压和电流波形,提高电路的输出功率和功率附加效率。测试结果表明,在34~36 GHz频带内,放大器MMIC的饱和输出功率达到40 W,功率增益达到18 dB,功率附加效率达到30%。该功率放大器可有效改善毫米波发射系统的信号传输距离和作用精度。
王彪王生国刘帅李静强付兴中许春良
关键词：KA波段GAN
GaAs MIM电容模型被引量：2
2010年
阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法。以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性。根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证。经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下GaAs MMIC的电路设计和仿真。
王生国胡志富
基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制作方法
本发明提供了一种基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制备方法，属于微电子封装技术领域，包括微波封装管壳、金属基微流道散热器以及芯片和电路模块，微波封装管壳包括底板、固设于底板上的墙体以及封装于墙体上的盖板。金属基微...
王绍东王生国银军赵永志许春良吴家锋
Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC被引量：2
2022年
采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压。在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率和效率的最佳匹配。测试结果表明,在14~16 GHz,功率放大器MMIC实现了饱和输出功率大于100 W,功率附加效率大于40%。该48 V Ku波段GaN功率放大器MMIC具有高电压、大功率、高效率的特点,具有广阔的应用前景。
王生国高茂原边照科王彪韩雷刘帅
关键词：KU波段
Ka波段GaN HEMT大功率、高效率放大器MMIC被引量：8
2013年
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka波段GaN大功率、高效率功率放大器MMIC。该单片功率放大器包含三级级联放大电路,采用了Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入/输出阻抗均匹配至50Ω。电路在34～36 GHz下,饱和输出功率大于6 W,功率增益大于13 dB,功率附加效率大于15%,芯片尺寸3.5 mm×1.8 mm,与目前国际报道的最好水平相当。
杜鹏搏徐伟王生国高学邦蔡树军
关键词：KA波段氮化镓单片微波集成电路高电子迁移率晶体管高功率
一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型
2022年
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性。基于0.25μm GaN HEMT器件,进行了脉冲I-V、多偏置S参数、负载牵引仿真及测试,并对新模型进行参数提取和建模。经过对比仿真和测试结果发现,新模型的仿真结果与实测结果比标准ASM-HEMT模型更加吻合,说明新模型表征陷阱效应更加准确,提升了模型的准确性,进而提高GaN HEMT功率放大器设计仿真的准确性。
李静强赵哲言王生国付兴中魏碧华
关键词：非线性模型电流崩塌效应
微波单片电路中通孔的建模被引量：1
2008年
分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性。设计了频率在20GHz以下GaA8基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路，用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数。发现对截圆锥结构的通孔，用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36％。设计了一个14～18GHz、增益大于17dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路，验证了模型的准确性。
胡志富王生国何大伟蔡树军
关键词：通孔
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