王维彪
- 作品数：219 被引量：350H指数：10
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金应用光学国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于微型光谱仪的硅基多级微反射镜设计与制作研究被引量：10
- 2010年
- 提出了一种基于微光机电系统技术实现的空间调制方式的微型傅里叶变换光谱仪,介绍了其分光干涉系统结构及工作原理.对其核心部件多级微反射镜的制作方法进行了研究,采用硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀方法制作多级微反射镜,硅腐蚀后形成的(111)反射面的表面粗糙度均方根小于10nm.
- 王波梁中翥孔延梅梁静秋付建国郑莹朱万彬吕金光王维彪裴舒张军
- 关键词：傅里叶变换光谱仪微光机电系统空间调制
- 基于微成像镜阵列与阶梯相位反射镜的快照成像光谱仪
- 基于微成像镜阵列与阶梯相位反射镜的快照成像光谱仪，涉及红外成像光谱探测仪器技术领域，解决传统成像光谱仪中三维数据立方体的实时获取以及成像光谱仪器的微小型化问题，包括准直镜、微成像镜阵列、分束器、横向阶梯相位反射镜、纵向阶...
- 梁静秋梁中翥孟德佳陶金吕金光王维彪秦余欣
- 文献传递
- LED阵列微显示器件及制作方法
- 本发明属于发光显示技术领域，是一种高亮度微显示器件及制作方法。本发明所述的微显示器件包括有：上电极、透光层、发光层、反射层、基片、下电极、上保护层、光阑。上述器件制备过程包括：(A)在透光层和基片上制作金属薄膜和保护层，...
- 梁静秋王波王维彪梁中翥朱万彬
- 文献传递
- AlGaInP DH-LED的pn结特性被引量：2
- 2013年
- 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。
- 高丹梁静秋梁中翥田超秦余欣秦余欣
- 关键词：ALGAINP电压电流特性PN结
- 基于半阶梯半平面相位反射镜的红外偏振干涉成像光谱仪
- 基于半阶梯半平面相位反射镜的红外偏振干涉成像光谱仪，涉及红外偏振成像光谱测量仪器技术领域，解决现有目标场景中偏振信息、图像信息和光谱信息的同时获取以及偏振成像光谱仪器的微小型化和集成化问题，包括准直镜、四通道偏振器、四通...
- 梁中翥吕金光梁静秋孟德佳陶金秦余欣王维彪
- 并联谐振腔光子晶体单通道侧面耦合波导被引量：9
- 2012年
- 分析了多光子晶体谐振腔的并联耦合模理论,并根据该理论设计了单通道光子晶体侧面耦合波导以实现光子晶体器件与光源间的高效耦合。理论研究表明并联谐振腔的耦合效率与谐振腔数量、间距以及品质因子相关。经优化耦合面积和耦合效率,最终选择了5个谐振腔并联作为单通道侧面耦合波导的耦合部分。通过设置谐振腔间距改变其对称性,从而实现侧面耦合波导的单通道传播。在1.55μm工作波长下,单通道侧面耦合波导的耦合效率可达94.49%。
- 崔乃迪梁静秋梁中翥王维彪
- 关键词：光学器件耦合模理论光子晶体
- 增强蓝光效率的硅探测器阵列器件的制作方法
- 增强蓝光效率的硅探测器阵列器件的制作方法，属于光电技术领域。解决了如何提供一种具有高蓝光灵敏度、高增益和高集成度的硅探测器阵列器件的的制作方法的问题。本发明的制作方法，先在清洁处理后的衬底材料上沉积雪崩层，然后在雪崩层上...
- 秦余欣王维彪梁静秋高丹陶金张军吕金光陈锋
- 文献传递
- 光子晶体及二维光子晶体波导被引量：9
- 2009年
- 光子晶体是一种新兴的光学材料,其各种优异的光学特性可以用来制作所需要的光子晶体器件,。本文介绍了一维、二维、三维光子晶体的结构、特性及其主要的理论研究方法、实验制备方法,并着重阐述了二维光子晶体波导的特性及其制备方法及国内外研究进展。
- 崔乃迪梁静秋梁中翥周健伟寇婕婷王维彪
- 关键词：光子晶体波导
- 基于多级微反射镜的傅里叶变换红外成像光谱仪
- 基于多级微反射镜的傅里叶变换红外成像光谱仪，涉及对地遥感探测领域，解决现有成像光谱仪内部含有与空间分辨率有关的狭缝，限制了进入系统的光通量的问题，包括前置成像系统、干涉系统、后置成像系统和焦平面探测器，所干涉系统包括多级...
- 梁静秋梁中翥王维彪吕金光田超秦余欣
- 文献传递
- 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法
- 本发明公开了一种平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，步骤包括：在所述器件本体上刻蚀出多条相互交叉的第一沟槽；在所述沟槽的底部生长下电极金属层，形成下电极金属层；在所述下电极上方生长绝缘介质层；下电极图形外的下电极...
- 田超梁静秋梁中翥王维彪
