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张翠玲

作品数:7 被引量:14H指数:2
供职机构:西南师范大学物理科学与技术学院(电子信息工程学院)更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市科委基金重庆市科技攻关计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇坡莫合金
  • 2篇子层
  • 2篇DS
  • 2篇FE
  • 2篇HG
  • 2篇磁滞回线
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能带
  • 1篇电子能带结构
  • 1篇电子能量
  • 1篇电子状态
  • 1篇电阻率
  • 1篇势阱
  • 1篇最大磁能积
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化汞
  • 1篇硫化镉
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇纳米
  • 1篇激活能

机构

  • 7篇西南师范大学
  • 2篇北京科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇重庆工商大学
  • 1篇重庆邮电学院

作者

  • 7篇张翠玲
  • 7篇郑瑞伦
  • 2篇滕蛟
  • 2篇刘俊
  • 2篇陈志谦
  • 1篇代波

传媒

  • 4篇西南师范大学...
  • 3篇物理学报

年份

  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响
2004年
采用NiFeNb为种子层,制备(Ni82Fe18)1-xNbx(35 )/(Ni82Fe18)(150 )/Ta(30 )系列膜,并对其颗粒大小和磁滞回线等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果表明:以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构.种子层厚度为20 ,Nb含量为24 4%时,磁滞回线有最小的回线面积、矫顽力和较小的不对称性.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因素造成种子层具有不同的表面粗糙度,进而使坡莫合金具有不同的微结构.
郑瑞伦刘俊代波张翠玲
关键词:坡莫合金磁滞回线表面粗糙度
非简谐振动对Fe热容和电阻率的影响被引量:1
2004年
以铁为例,讨论了原子非简谐振动对晶体的定压热容量和电阻率的影响.结果表明:温度不太低情况下,研究晶体的热力学性质和电学性质时,只有考虑到非简谐振动效应,理论计算结果才与实验较为一致.
张翠玲郑瑞伦
关键词:非简谐振动电阻率
NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响
2005年
以NiFeNb为种子层,制备(Ni79Fe21)1-xNbx(5nm)/(Ni79Fe21)(20nm)/Ta(3nm)系列膜,并对其颗粒大小、磁滞回线及表面粗糙度等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果表明,以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构.Nb含量为23%时的磁滞回线有最小的最大磁能积、矫顽力.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因素造成种子层具有不同的表面粗糙度,进而使坡莫合金具有不同的微结构和磁性能.
张翠玲郑瑞伦滕蛟
关键词:磁滞回线坡莫合金子层最大磁能积激活能矫顽力
(Ni_(0.79)Fe_(0.21))_(1-x)Nb_x种子层对Ni_(0.79)Fe_(0.21)合金磁电阻的影响
2005年
采用磁控溅射的方法, 在诱导磁场下制备了[(Ni0 79Fe0 21)1-xNbx]/NiFe/Ta 系列膜, 测量了种子层中Nb原子的百分含量、膜的微结构和膜的MR( Magnetoresistance), 研究了种子层的厚度和种子层中Nb原子的百分含量对NiFe的MR的影响. 实验表明: 以NiFeNb为种子层可较明显的改善Ni0 79Fe0 21膜的微结构, 提高其磁电阻性能.
张翠玲滕蛟郑瑞伦
关键词:坡莫合金磁电阻
层间互作用势对HgS/CdS柱状超晶格电子能带结构的影响被引量:1
2004年
给出了柱状超晶格层间互作用势随径向的变化关系,用微扰法求出了考虑层间互作用情况下HgS/CdS柱状超晶格电子能带结构,讨论了层间相互作用对电子能带结构的影响.结果表明:考虑层间相互作用后HgS/CdS柱状超晶格中电子仍具有能带结构,且能带宽度随势垒宽度的减小而增大,而禁带宽度则相反.内层介质半径增大时,能带宽度将增大,而禁带宽度将减小;层间作用的存在使能带结构向上移动,而带宽稍有增大,禁带宽度稍有减小.
郑瑞伦张翠玲
层间作用对HgS/CdS/HgS柱状纳米系统电子能量的影响被引量:11
2005年
确立了柱状纳米系统电子势能随距离的变化关系 ,以HgS CdS HgS柱状纳米系统为例 ,讨论了层间作用对电子能谱的影响 .结果表明 :电子能量随势垒宽度和波矢的增大而增大 ,随势阱宽度的增大而减小 ;层间互作用会增大电子能量 。
郑瑞伦张翠玲陈志谦
关键词:势阱电子能量纳米
HgS/CdS/HgS球状纳米系统电子的能量与寿命以及概率分布被引量:8
2003年
建立了HgS CdS HgS球状纳米系统物理模型和电子状态满足的方程 .应用S矩阵理论 ,探讨了s态电子的能量和寿命以及概率分布随势垒和势阱宽度的变化规律 .结果表明 :电子能量和寿命随垒势宽度增大而增大 ;电子能量随阱宽增大而减小 ,而寿命随阱宽增大而增大 ;
郑瑞伦陈志谦张翠玲刘俊
关键词:电子状态硫化汞硫化镉
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