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一种高频高压双极性功率器件的研究: 1994年; 针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。; 陈去非陈珂陈启秀; 关键词：双极晶体管功率晶体管

一种新型的双极功率器件—BST: 1995年; 针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维电场解析解，可知深Ｐ＋多晶硅基区的引入对有源Ｐ基区产生明显的电场屏蔽效应，该基区屏蔽效应随Ｐ＋基区深入Ｎ－区中的深度Ｌ的增加以及相邻Ｐ＋基区间距２Ｄ的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应，使得ＢＳＴ的特征频率ｆＴ、电流增益ｈｆｅ和ＣＥ击穿电压ＢＶｃｅ０都较常规ＢＰＴ大为提高，较好地解决了常规ＢＰＴ中存在的主要矛盾。实验验证了理论分析的结果。; 陈去非陈珂陈启秀; 关键词：双极晶体管功率晶体管泊松方程物理模型

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陈珂