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陈静伟

作品数:59 被引量:26H指数:3
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程生物学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 34篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 19篇电气工程
  • 5篇生物学
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 35篇电池
  • 17篇钝化
  • 14篇太阳电池
  • 13篇太阳能电池
  • 7篇纳米
  • 6篇太阳能
  • 6篇全氟磺酸
  • 6篇晶体硅
  • 6篇硅电池
  • 6篇
  • 5篇延迟发光
  • 4篇电池效率
  • 4篇钝化液
  • 4篇体硅
  • 4篇光伏
  • 4篇硅太阳电池
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 4篇
  • 3篇导电
  • 3篇导电薄膜

机构

  • 56篇河北大学
  • 2篇河北工程大学
  • 2篇浙江工业大学
  • 1篇保定学院
  • 1篇邢台学院
  • 1篇衢州职业技术...
  • 1篇中国建材检验...
  • 1篇巨力新能源股...
  • 1篇河北省凤凰谷...
  • 1篇英利集团有限...
  • 1篇保定嘉盛光电...

作者

  • 58篇陈静伟
  • 35篇陈剑辉
  • 21篇陈兵兵
  • 19篇麦耀华
  • 14篇郭建新
  • 12篇王淑芳
  • 9篇李志强
  • 9篇朱红兵
  • 7篇许颖
  • 4篇李光
  • 4篇杨景发
  • 3篇曹晓兵
  • 3篇张璐
  • 3篇李刚
  • 3篇宋登元
  • 3篇闫小兵
  • 3篇杨海莲
  • 3篇王新巧
  • 3篇梁晓杨
  • 3篇杨静

传媒

  • 6篇太阳能学报
  • 3篇河北大学学报...
  • 3篇第十四届中国...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料保护
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 4篇2024
  • 16篇2023
  • 8篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法
本发明提供了一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法。本发明首先采用HF、H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>和添加剂的混合溶液使多晶硅基片在18~25℃下经2000~2300s减薄至90‑120μm,减薄...
何仁陈静伟陈剑辉黄志平宋登元许颖
文献传递
一种制备自支撑纳米碳基导电宏观体的方法及其应用
本发明涉及碳纳米材料技术领域,提出了一种制备自支撑纳米碳基导电宏观体的方法及其应用,包括以下步骤:S1、将碳基材料、磺酸基化合物与溶剂混合,分散均匀后,涂覆于衬底上,得到覆于衬底上的纳米碳基导电宏观体;S2、将所述纳米碳...
杨德华陈剑辉袁晓阳高青张旭宁陈兵兵陈静伟
柔性不锈钢衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池的衬底温度优化
系统研究不同TS2温度对在不锈钢衬底上制备了CIGS薄膜和相应的薄膜太阳电池的影响。结果表明,随着TS2的升高,薄膜结晶质量逐步提高,也大大增加了不锈钢衬底中Fe元素在CIGS薄中的扩散。在TS2为500℃制备的CIGS...
梁晓杨陈静伟朱红兵张冲郭玉婷周东李志强麦耀华
关键词:薄膜太阳电池衬底温度光电性能
太阳能电池串、其制备方法及太阳能电池组件
本发明提供了一种太阳能电池串、其制备方法及太阳能电池组件。所述太阳能电池串是由若干太阳能电池片串接而成,太阳能电池片是采用激光划片设备对常规晶体硅电池片均匀分割而形成。每一常规晶体硅电池片若被均分为N个太阳能电池片,则后...
麦耀华许颖陈静伟陈剑辉
文献传递
水平辊式扩散制备太阳电池
2016年
介绍了采用水平辊式扩散工艺制备出了效率大于17%的多晶硅太阳电池;采用五点法测量电池的方块电阻结果较管式扩散均匀性有提升;少子寿命在20μs以上;ECV结果表明辊式扩散易容易实现浅结扩散。
胡文涛卢川陈剑辉陈静伟陈静伟许颖
关键词:方阻
单晶硅制绒过程研究被引量:3
2020年
晶体硅表面制绒能够减少光的反射和提高太阳电池效率。传统的抛光单晶硅制绒过程包括成核、生长、成型和过腐蚀过程。使用添加剂的碱溶液对抛光单晶硅片和金刚线切割单晶硅片进行研究发现,经过线切割的单晶硅片表面有约5μm厚的损伤层,损伤层包括多晶碎晶区、裂纹区、过渡区和弹性畸变区4个区域,厚度分别为0.5、1.4、1.4和1.7μm;当制绒时间从4.5 min变化至8.5 min,多晶碎晶区被完全刻蚀,12.5 min时金字塔基本布满硅片表面,21 min时形成2~3μm的均匀金字塔。与传统制绒过程相比,抛光单晶硅片制绒具有统一的成核、生长、成型过程,而过腐蚀过程被均匀过程替代,并能够获得2~3μm均匀的金字塔形貌和11%的低反射率。
吴闯黄志平陈剑辉麦耀华陈静伟
关键词:单晶硅反射率
温度对叶片延迟发光的影响被引量:13
2005年
以绿宝石喜林芋叶片为材料研究了不同温度对叶片延迟发光和超氧物歧化酶(SOD)、脂氧合酶(LOX)活性的影响.结果表明:随温度的升高,延迟发光的衰减系数先增加后减小,在15℃时有一最大值;延迟发光的最大强度也会随温度的不同而发生改变,当温度达到50℃时,叶片基本上不再具有延迟发光的特性;SOD,LOX活性与延迟发光之间存在极为密切的关系.
李光杨海莲陈静伟曹晓兵廖祥儒杨景发
关键词:温度叶片延迟发光超氧物歧化酶脂氧合酶
一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池
本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域,提出了一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池。其中空穴传输层包括炭黑和磺酸基化合物;所述磺酸基化合物包括双三氟甲烷磺酰亚胺、全氟磺酸、PS‑b‑PERB中的一种或几种;所述的一...
高青陈剑辉张璐杨学良张旭宁杨德华袁晓阳陈静伟陈兵兵
一种晶体硅电池侧边钝化涂层及钝化方法
本发明涉及硅电池技术领域,提出了一种晶体硅电池侧边钝化涂层,包括(2‑(9H‑咔唑‑9‑基)乙基)膦酸溶液和活性剂,直接涂刷涂在晶体硅的侧面即可。通过上述技术方案,降低了由于激光切割导致晶体硅电池侧边复合的影响,提高组件...
陈剑辉张旭宁王笑李文恒陈兵兵郭建新高青陈静伟王淑芳
透明导电氧化物薄膜的湿热衰减特性研究
通过将三种透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)薄膜材料,即掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)、掺硼氧化锌(ZnO∶B,BZO)和掺氟氧化锡(SnO∶F,FTO)薄膜放置于温度...
王新巧朱红兵陈静伟王辉许颖麦耀华
关键词:透明导电氧化物薄膜湿热处理退火
共6页<123456>
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