高冉
- 作品数：7 被引量：9H指数：3
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科技攻关计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺文化科学更多>>
- 电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程调查被引量：1
- 2009年
- 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%。调查结果为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。
- 谢泉陈茜肖清泉高冉张晋敏崔冬萌李旭珍
- 关键词：电子科学与技术专业百分比
- Sc掺杂Ca_3Si_4的电子结构和光学性质
- 2013年
- 利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Sc掺Ca_3Si_4的电子结构和光学性质进行了系统的计算和分析比较。研究结果为块体Ca_3Si_4是间接带隙半导体,带隙为0.372eV,价带主要是由Si的3s和3p及Ca的3d态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成,静态介电常数ε_1(0)=19,折射率n_0=4.35;吸收系数在能量3.024eV处达到最大峰值1.56×105cm^(-1)。而掺杂Sc变为n型半导体;费米能级附近的导带主要则由Ca的3d态电子和Sc的3d态电子构成,静态介电常数变为ε_1(0)=54.58,折射率n_0=7.416;吸收系数在能量5.253eV处达到最大峰值1.614×10~5m^(-1)。通过掺杂有效调制了Ca_3Si_4的电子结构和光学性质,计算结果为Ca_3Si_4光电材料的设计与应用提供了理论依据。
- 高冉谢泉
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
- 金属间化合物Ca_3Si_4光学性质的第一性原理计算
- 2011年
- 使用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Ca3Si4块体进行了详细的计算研究,得到了金属间化合物Ca3Si4是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.372 eV;价带主要由Si的3s和3p态电子构成,导带主要由Ca的3d态电子构成。其光学性质结果为:静态介电常数为19,折射率为4.35,吸收系数最大峰值为1.56×105cm-1,能量损失峰的最大值约在8.549 eV处。
- 高冉谢泉
- 关键词：半导体材料金属间化合物光学性质第一性原理
- K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究被引量：5
- 2012年
- 基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似（GGA）对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的P型半导体,禁带宽度为0.6230eV,光学带隙变宽,价带主要是Si的3p、Ca的4s、3d以及K的3p、4s态的贡献;静态介电函数ε1（0）=14.4;折射率n0=3.8;吸收系数最大峰值为3.47×105cm-1。通过掺杂调制材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
- 丰云谢泉高冉王永远沈向前陈茜
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
- Sc掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理被引量：7
- 2012年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算。计算结果表明,掺Sc后的Ca2Si能带向低能端偏移,形成n型半导体,正交相结构能隙变为0.6084eV,相比块体Ca2Si带隙加宽了一倍,但仍为直接带隙半导体。Ca2Si掺杂Sc后,正交相导带主要是Ca的4s、3d态和Sc的3d、3p态电子构成,静态介电常数变大,折射率也变大,吸收系数相比块体在低能段基本无变化,在高能段虽吸收系数减小,但仍保持105数量级且大于β-FeSi2的吸收系数,说明Ca2Si在太阳能电池上具有较好的应用前景。通过掺杂有效调制了Ca2Si的电子结构和光学性质,计算结果为Ca2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。
- 冉耀宗高冉黄浦谢泉陈茜丰云
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
- 开设物理及材料科学类课程情况调查
- 2009年
- 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校有64%,使用通用教材的高校有78%,认为开设此类课程有必要性的高校有95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%,从而为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。
- 谢泉陈茜肖清泉高冉张晋敏崔冬萌李旭珍
- 关键词：电子科学与技术专业百分比
- K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：5
- 2012年
- 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
- 丰云谢泉高冉沈向前王永远陈茜
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
