您的位置: 专家智库 > >

黄毅华

作品数:45 被引量:15H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家自然科学基金委员会-广东省人民政府联合基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 10篇期刊文章

领域

  • 16篇化学工程
  • 5篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 32篇陶瓷
  • 23篇碳化硅
  • 15篇碳化硅陶瓷
  • 13篇粉体
  • 12篇碳化硅粉
  • 12篇硅粉
  • 10篇素坯
  • 9篇陶瓷材料
  • 9篇陶瓷素坯
  • 8篇碳化硅粉体
  • 8篇透明陶瓷
  • 7篇真空
  • 6篇等静压
  • 6篇氧化钇
  • 6篇块体
  • 6篇掺杂
  • 6篇大尺寸
  • 5篇碳化硅陶瓷材...
  • 5篇碳化硼
  • 4篇导热

机构

  • 45篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇西北工业大学
  • 2篇上海前瞻创新...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 45篇黄毅华
  • 37篇黄政仁
  • 21篇刘学建
  • 21篇陈忠明
  • 18篇江东亮
  • 8篇林庆玲
  • 8篇张景贤
  • 7篇张辉
  • 7篇孙安乐
  • 3篇姚秀敏
  • 2篇潘光
  • 2篇袁明
  • 2篇张方圆
  • 1篇朱云洲
  • 1篇李会利
  • 1篇张先锋
  • 1篇刘泽华
  • 1篇殷杰
  • 1篇刘雷敏
  • 1篇李淑星

传媒

  • 5篇无机材料学报
  • 2篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇力学学报
  • 1篇华中科技大学...

年份

  • 4篇2024
  • 13篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
45 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种晶粒定向碳化硅陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种晶粒定向碳化硅陶瓷材料及其制备方法,所述碳化硅陶瓷通过采用中强磁场定向以磁性碳化硅粉体为原料的浆料中的颗粒晶向而制备,所述碳化硅陶瓷的晶粒80%以上沿<006>方向取向排列。本发明的晶粒定向碳化...
黄毅华江东亮张辉刘学建陈忠明黄政仁
文献传递
一种碳化硅陶瓷的制备方法和由该制备方法制备的碳化硅陶瓷材料
本发明提供一种碳化硅陶瓷的制备方法,包括:以碳化硅粉体为原料,加入烧结助剂和添加剂,在惰性气体或真空气氛中,高温烧结,得到碳化硅陶瓷材料;其中,所述碳化硅粉体经过预处理过程,所述预处理过程为在真空或惰性气氛下高温预烧。本...
黄政仁黄毅华刘学建陈忠明孙安乐
高折射率Nd,La共掺杂氧化钇透明陶瓷的光谱性质及其Judd-Ofelt理论分析被引量:2
2010年
采用液相法和真空烧结技术制备了2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷样品.样品晶粒均匀,大小在22μm左右,在晶粒和晶界处都未见气孔.元素线扫描结果表明,Nd离子和La离子均匀地分布于陶瓷晶粒和晶界处.并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰821nm处的吸收截面为4.3×10-24m2,主荧光发射峰位于1078nm处,实测荧光寿命为0.287ms.采用Judd-Ofelt理论计算了Nd3+在掺La氧化钇陶瓷晶体场中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),自发辐射概率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.通过F-L公式计算得到2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷中Nd3+的4F3/2→4I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为2.0×10-24m2.结果表明,La离子的掺入可以调节氧化钇透明陶瓷的晶体场,有助于制备符合实际需求的固体激光器材料.
黄毅华江东亮张景贤林庆玲
关键词:光谱性质
一种金刚石结合碳化硅复相陶瓷的制备方法和应用
本发明提供了一种金刚石结合碳化硅复相陶瓷的制备方法和应用,包括制备表面包覆碳化硅层的金刚石微粉;将表面包覆碳化硅层的金刚石微粉、碳化硅粉、炭黑、硅粉、粘结剂均匀混合、干燥、粉碎、过筛、模压成型、固化、脱脂处理、渗硅处理,...
黄毅华张明康谭周茜周雅斌沙闻浩黄政仁
一种大尺寸、高强度石墨烯纳米片/碳化硅复合材料及其制备方法
本发明提供一种大尺寸、高强度石墨烯纳米片/碳化硅复合材料及其制备方法,所述制备方法包括:以碳化硅、碳化硼、石墨烯纳米片和碳黑为原料,按照石墨烯纳米片/碳化硅复合材料的原料组分称量并混合,得到原料粉体,所述原料组分包括:8...
黄毅华江东亮黄政仁刘学建陈忠明
一种碳化硅陶瓷的烧结方法
本发明提供一种碳化硅陶瓷的烧结方法,包括:先正压保护气氛烧结,然后真空烧结。本发明提供了一种碳化硅陶瓷的烧结方法,尤其适用于大尺寸块体碳化硅陶瓷,解决了现有技术中烧结开裂、烧结夹生和不致密等问题,所述烧结方法得到的大尺寸...
黄政仁黄毅华刘学建陈忠明孙安乐
基于近场动力学理论的圆柱壳体渐进损伤分析
2024年
为了研究圆柱壳体在侧压作用下的强度损伤机理,采用近场动力学数值方法对其强度损伤的萌生、扩展演化过程进行仿真分析.首先,对键基近场动力学理论进行了回顾.考虑到该模型中长程力对计算精度的影响,引入核函数对其进行改进,建立了适用于求解三维问题的改进型键基近场动力学模型.其次,将最大应变准则作为评估键断裂与否的标准嵌入改进的模型中.采用FORTRAN语言编程实现了单调递增侧压作用下壳体强度损伤行为的数值仿真.最后,对仿真结果进行分析,揭示强度损伤演化规律.仿真结果表明:损伤区最先出现在壳体内壁面,且呈90°均匀分布;随着压力的增加,壳体的外壁面上出现两个新的损伤区,随后内壁面和外壁面上的损伤区同时向壳体中面扩展;在整个损伤演化过程中,壳体的损伤程度随载荷的线性增加而呈指数形式增长.该方法能为壳体在复杂载荷作用下的强度预测和防护提供指导.
蒋雷雷沈克纯潘光黄毅华
关键词:圆柱壳体侧压
一种激光照明用高导热Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/YAG:Ce复相荧光陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种激光照明用高导热Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/YAG:Ce复相荧光陶瓷及其制备方法,所述复相荧光陶瓷包括Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷基底、和弥散分布在...
黄政仁刘泽华刘学建姚秀敏王晓洁黄毅华吴西士蔡平
文献传递
一种大尺寸块体陶瓷的成型模具
本实用新型涉及一种大尺寸块体陶瓷的成型模具,包括模具本体和模具盖体;所述模具本体包括腔体,所述模具盖体盖住所述模具本体的腔体底部,在所述腔体底部密封处为圆柱腔体。本实用新型提供一种大尺寸块体陶瓷的成型模具,在模具本体的腔...
黄毅华黄政仁刘学建陈忠明孙安乐
文献传递
大厚度SiC素坯的脱脂分析及其无压高致密制备
2023年
高致密的大厚度SiC陶瓷在装甲防护领域具有显著优势,但是制备厚度100 mm以上的块体SiC陶瓷具有极大的挑战性。针对大厚度SiC陶瓷烧结易开裂、不致密等问题,本工作着重对大厚度SiC素坯的脱脂产物、压力–不完全脱脂分析等开展了研究。采用TG-MS分析了大厚度陶瓷脱脂过程中的酚醛树脂裂解残余,其中甲醛等小分子裂解物易脱除,而二甲基苯酚等高分子产物易滞留芯部,导致大厚度陶瓷的烧结不致密。经脱脂优化,素坯表层–芯部密度一致,均在1.81~1.84 g/cm^(3)范围。经2150℃烧结后,得到不开裂、不变形的大厚度SiC陶瓷,块体陶瓷表层与芯部的密度均达到3.14 g/cm^(3)。大厚度陶瓷表层与芯部微观结构相似,表层抗弯强度为(433±48)MPa、芯部抗弯强度达到(411±84)MPa。经分析认为,大厚度陶瓷芯部不完全脱脂是导致开裂和不致密的主要原因。
黄毅华黄政仁沙闻浩周雅斌谭周茜张明康
关键词:大厚度SIC陶瓷
共5页<12345>
聚类工具0