- 高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究
- 2008年
- 高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大.
- 彭海波杨秀玉程锐王释伟羊佳韩运成赵永涛房燕王铁山
- 关键词：高电荷态离子溅射碰撞
- 高电荷态离子^(207)Pb^(q+)(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究被引量：7
- 2006年
- 报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.
- 王瑜玉赵永涛肖国青房燕张小安王铁山王释伟彭海波
- 关键词：高电荷态离子
- 新型PIN硅半导体探测器的辐射损伤研究
- PIN型硅半导体探测器以其优异的抗辐照性能在核物理实验研究中具有广泛的应用。但所有半导体探测器在受高能粒子辐射时,都会在半导体材料中产生各种辐射损伤缺陷,对探测器的性能产生不利的影响,如:分辨率下降,正反向电阻的下降,漏...
- 王释伟
- 关键词：半导体探测器分辨率
- 文献传递
- 低速高电荷态离子^(40)Ar^(16+)与云母表面作用中的电子发射研究被引量：2
- 2006年
- 报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.
- 房燕赵永涛肖国青王瑜玉王铁山王释伟彭海波
- 关键词：电子发射
