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石磊

作品数：41 被引量：0H指数：0
供职机构：京东方科技集团股份有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇中文专利

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 28篇显示装置
  • 14篇晶体管
  • 12篇薄膜晶体
  • 12篇薄膜晶体管
  • 11篇发光
  • 9篇面板
  • 8篇基板
  • 6篇信号
  • 6篇全反射
  • 6篇显示技术
  • 5篇电致发光
  • 5篇有机电致发光
  • 5篇显示面板
  • 5篇像素电路
  • 5篇发光层
  • 4篇有机发光
  • 4篇有源层
  • 4篇漏电
  • 4篇漏电流
  • 4篇漏极

机构

  • 41篇京东方科技集...
  • 4篇北京京东方光...
  • 2篇合肥鑫晟光电...
  • 1篇高创(苏州)...
  • 1篇合肥京东方视...

作者

  • 41篇石磊
  • 16篇许晓伟
  • 11篇龙春平
  • 8篇梁逸南
  • 6篇成军
  • 6篇王东方
  • 6篇姜春生
  • 6篇徐文清
  • 6篇刘政
  • 4篇皇甫鲁江
  • 3篇马占洁
  • 2篇孙亮
  • 2篇张粲
  • 2篇马文昱
  • 1篇王祖强
  • 1篇于洪俊

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板
本发明提供一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，方法包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在源区和漏区上沉积诱导金属；对沉积有诱导金属的有源层进行热处理，使有源层在诱...
刘政龙春平姜春生成军石磊王东方梁逸南
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显示基板和显示装置
本公开提供一种显示基板和显示装置。该显示基板包括第一衬垫区、显示区和多条第一走线，在所述第一衬垫区设置有多个第一衬垫，所述第一衬垫用于连接显示驱动芯片，在所述显示区设置有多个像素电路，部分所述第一衬垫通过所述第一走线连接...
石磊安亚帅于洪俊王建张勇王先葛杨马建威关星星
电压电流转换电路、数据驱动电路和电流驱动型像素电路及平板显示器
本实用新型提供一种电压电流转换电路，包括数据电压输入单元、阈值电压补偿单元和数据电流输出单元，其中：数据电压输入单元，用于接收数据电压信号，并将该数据电压信号传送给阈值电压补偿单元，同时将经过阈值电压补偿单元进行晶体管阈...
梁逸南马占洁龙春平成军石磊王东方姜春生刘政
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一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置
本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够避免TFT结构受光照而引起的漏电流增大的问题，提高TFT结构的稳定性。该薄膜晶体管阵列基板包括基板，设置于基板上的有源层，有源层包括未掺...
石磊
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数据选择器、显示基板、显示装置和数据写入方法
本公开提供了一种数据选择器，包括：第一选通电路、第二选通电路和反相电路，第一选通电路和第二选通电路分别配置有第一控制信号输入端和第二控制信号输入端，第一控制信号输入端、反相电路的信号输入端均与选通控制信号线电连接，反相电...
王政石磊
OLED器件及其制备方法、显示装置
本发明涉及显示技术领域，公开了一种OLED器件，其包括衬底基板、TFT开关、阴极、阳极、位于阳极和阴极之间的有机发光层，所述衬底基板和有机发光层之间设有光电薄膜层，所述光电薄膜层和有机发光层之间设有遮挡层，所述遮挡层与T...
石磊
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一种有机发光显示装置及其制造方法
本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括阳极层、阴极层和设置于阳极层和阴极层之间的像素定义层和发光层，其中所述像素定义层具有开口，所述发光层设置于所述开口中，所述发光层与所述像素定义层之间设置有...
许晓伟石磊徐文清
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一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法
本发明涉及显示工艺技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管依次包括第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别...
石磊许晓伟
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一种显示装置、阵列基板及薄膜晶体管
本实用新型涉及显示工艺技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及薄膜晶体管。该薄膜晶体管依次包括第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏...
石磊许晓伟
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多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件
本发明提供一种多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件，为解决现有技术中存在的，多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高的问题，该方法包括，形成多晶硅层，在多晶硅层上形成高功函接触层，在高功函接触层上形成金属电极，...
石磊
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