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胡嘉盛

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇混频
  • 3篇混频器
  • 3篇放大器
  • 2篇CMOS低噪...
  • 1篇电流
  • 1篇电流信号
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇噪声
  • 1篇增益
  • 1篇增益可控
  • 1篇正交频分
  • 1篇正交频分复用
  • 1篇射频
  • 1篇射频前端
  • 1篇通信
  • 1篇通信系统
  • 1篇频分

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇胡嘉盛
  • 4篇李巍
  • 2篇任俊彦
  • 1篇李宁
  • 1篇李志升

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
无线通信系统接收射频前端片上LNA和Mixer的研究与设计
近十多年来,随着人们对数据无线通信的的需求发展,GSM和UIB等无线通信网络正在得到迅猛发展。例如,目前在全球个人手持通信中广泛应用的GSM系统和在近距离无线高速交换上具有极大潜力的UWB系统等。本文设计了一个拟应用于G...
胡嘉盛
关键词:低噪声放大器混频器LNAMIXER无线通信系统
文献传递
一种基于OFDM UWB接收机的CMOS下变频混频器被引量:1
2008年
设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4-252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5-7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5-26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.
胡嘉盛李巍李宁
关键词:互补金属氧化物半导体正交频分复用超宽带混频器
一种能抑制本振开关管噪声的CMOS下混频器
本发明属于无线接收机射频前端技术领域,具体为一种能抑制本振开关管噪声的CMOS下混频器。它由射频RF放大级、本振LO开关级和中频IF负载级组成。其中RF放大级将接收到的RF电压信号转换成电流信号,LO开关级使RF电流信号...
李巍胡嘉盛
文献传递
增益可控CMOS低噪声放大器被引量:3
2007年
设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪声系数NF约为2.33dB,IIP3约为4.0dBm,可变增益范围为7dB。在3.3V电源电压下消耗电流8.2mA。此设计方法可以应用到诸如GSM、GPS等无线接收机系统中。
胡嘉盛李巍任俊彦
关键词:低噪声放大器
1.9GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计被引量:4
2006年
对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC 0.18μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS-NMOS LNA)和典型的NMOS LNA。利用Cadence-SpectreRFTM,对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明,在功耗相近时,PMOS-NMOS LNA能够提供比较大的电压增益,其噪声特性与NMOS LNA相近;NMOS LNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势。
李志升李巍胡嘉盛苏彦锋任俊彦
关键词:低噪声放大器线性度阻抗匹配
共1页<1>
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