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莫琦
作品数:
5
被引量:1
H指数:1
供职机构:
湖北大学物理学与电子技术学院
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发文基金:
国家教育部博士点基金
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相关领域:
一般工业技术
电气工程
理学
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合作作者
杨辅军
湖北大学物理学与电子技术学院
张志鹏
湖北大学物理学与电子技术学院
汪汉斌
湖北大学物理学与电子技术学院
王毅
湖北大学物理学与电子技术学院
朱建华
湖北大学物理学与电子技术学院
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机构
5篇
湖北大学
作者
5篇
朱建华
5篇
王毅
5篇
汪汉斌
5篇
张志鹏
5篇
杨辅军
5篇
莫琦
3篇
王浩
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王浩
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陈如山
1篇
陈如山
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冯洁
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功能材料
年份
5篇
2007
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FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征
采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的 FePt/BC 多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征.结果表明,在每一个 FePt 单元层中能得到较好(001)面择优的 fct 相 FePt ...
莫琦
王浩
陈如山
张志鹏
王毅
杨辅军
朱建华
汪汉斌
关键词:
FEPT
垂直磁记录
碳化硼
文献传递
FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征
2007年
采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征.结果表明,在每一个FbPt单元层中能得到较好(001)面择优的fet相FbPt合金,并且随着B4C含量的增大,薄膜的有序度提高.高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明,FePt层为具有(001)织构的fct相Fe55Pt45合金.样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m;平行膜面方向矫顽力很小.
莫琦
王浩
陈如山
张志鹏
王毅
杨辅军
朱建华
汪汉斌
关键词:
FEPT
垂直磁记录
碳化硼
热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究
被引量:1
2007年
采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列,其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪(XRD)以及场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的结果表明,实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上.此外,在常温下测量得到的光致发光(PL)谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好,无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。
张志鹏
王浩
莫琦
王毅
汪汉斌
杨辅军
朱建华
关键词:
热蒸发
ZNO纳米棒阵列
脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
2007年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为29.3的HfO2薄膜.借助C射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的微观结构,对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明,该方法制得的HfO2薄膜表面光滑,N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0.203nm变为0.498nm,薄膜由非晶转变为简单正交结构,界面层得到有效控制,该栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流密度(4.3×10^-7A/cm^2,@-1V),是SiO2栅介质的理想替代物.
王毅
王浩
张志鹏
莫琦
冯洁
朱建华
杨辅军
汪汉斌
关键词:
脉冲激光沉积
HFO2薄膜
电学特性
热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究
采用热蒸发的方法在 ZnO 薄膜缓冲层上成功制备了高密度的 ZnO 纳米棒阵列,其中 ZnO 薄膜缓冲层是通过 PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催...
张志鹏
王浩
莫琦
王毅
汪汉斌
杨辅军
朱建华
关键词:
热蒸发
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