蔚翠
- 作品数：160 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金河北省杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术理学更多>>
- 基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管
- 李佳蔚翠刘庆彬何泽召卢伟立冯志红
- 一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500‑1700℃和910‑990mbar下生长10...
- 刘庆彬蔚翠何泽召高学栋郭建超周闯杰冯志红
- 文献传递
- 纳米栅及纳米栅器件的制备方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获...
- 何泽召蔚翠刘庆彬高学栋郭建超周闯杰冯志红
- 文献传递
- 高频场效应晶体管及其制备方法
- 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了高频场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在氢终端上表面形成源极与漏极金属层，源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在氢终端上表面形成第一钝化层，在...
- 周闯杰蔚翠何泽召郭建超马孟宇刘庆彬余浩高学栋冯志红
- 基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法
- 本发明公开了一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。所述方法在于：在衬底上形成金属薄膜，在金属薄膜上形成石墨烯材料再在石墨烯材料上形成金属薄膜，利用光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方...
- 李佳冯志红蔚翠刘庆彬
- 文献传递
- 石墨烯射频放大器单片集成电路
- 本发明公开了一种石墨烯射频放大器单片集成电路，涉及集成电路制造技术领域，包括输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路；输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路安装在同一衬底上，输入电路连接...
- 宋旭波蔚翠何泽召冯志红
- 文献传递
- SiC基GaN上多晶金刚石散热膜生长及其影响
- 2024年
- 通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结构材料上生长多晶金刚石散热膜,采用光学显微镜(OM)、拉曼光谱、非接触霍尔测试系统、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对生长样品进行表征,研究了生长温度、多晶金刚石散热膜厚度对GaN HEMT异质结构材料性能的影响。测试结果表明,当多晶金刚石生长温度为625℃,散热膜厚度为20μm时,GaN材料载流子迁移率降低9.8%,载流子浓度上升5.3%,(002)衍射峰半高宽增加40%。生长温度越高,金刚石散热膜的生长速率越快。当金刚石散热膜厚度相差不大时,生长温度越高,GaN所受拉应力越大,材料电特性衰退越明显。多晶金刚石高温生长过程中,金刚石引入的应力未对GaN结构产生破坏作用,GaN材料中没有出现孔洞等缺陷。
- 盛百城刘庆彬何泽召何泽召蔚翠冯志红
- 关键词：多晶金刚石氮化镓孔洞缺陷
- 金刚石肖特基二极管的制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管的制备方法，该方法包括：在第一厚度的重掺杂p型第一金刚石层的上表面形成第二厚度的轻掺杂p型第二金刚石层，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述第一金刚石层的下表...
- 周闯杰王晶晶蔚翠何泽召郭建超刘庆彬高学栋冯志红
- 文献传递
- 钼托结构和金刚石制备方法
- 本申请适用于金刚石技术领域，提供了尤其涉及钼托结构和金刚石制备方法。该钼托结构包括钼托本体，所述钼托本体呈圆柱体结构，在所述钼托本体的上表面上开设有多个圆环状凹槽，所述多个圆环状凹槽依次嵌套；由所述钼托本体的上表面的中部...
- 马孟宇蔚翠郭建超刘庆彬周闯杰何泽召高学栋冯志红
- 一种蓝宝石盖板石墨烯投射式电容屏
- 本实用新型公开了一种蓝宝石盖板石墨烯投射式电容屏，涉及电容屏技术领域。包括从上至下依次包括蓝宝石盖板层、石墨烯工作层、粘着剂层、玻璃基板层和ITO屏蔽层，石墨烯工作层由X轴石墨烯矩阵和Y轴石墨烯矩阵组成，形成石墨烯矩阵图...
- 刘庆彬李佳何泽召蔚翠冯志红
- 文献传递
