您的位置: 专家智库 > >

谢基凡

作品数:49 被引量:96H指数:5
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 15篇专利

领域

  • 15篇电子电信
  • 10篇电气工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程

主题

  • 16篇铁电
  • 15篇铁电薄膜
  • 8篇电子镇流器
  • 8篇镇流器
  • 8篇晶体管
  • 8篇电子镇流
  • 7篇磁电
  • 7篇磁电阻
  • 6篇荧光灯
  • 6篇巨磁电阻
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇电路
  • 5篇荧光灯电子镇...
  • 5篇振荡器
  • 5篇晶体振荡
  • 5篇晶体振荡器
  • 5篇PZT
  • 4篇芯片
  • 3篇电场

机构

  • 28篇华中科技大学
  • 21篇华中理工大学
  • 1篇青岛大学

作者

  • 49篇谢基凡
  • 46篇于军
  • 23篇王耘波
  • 17篇周文利
  • 15篇高俊雄
  • 12篇周文利
  • 11篇王华
  • 10篇刘刚
  • 7篇曹广军
  • 5篇郑远开
  • 5篇徐静平
  • 4篇李佐宜
  • 4篇周东祥
  • 4篇颜冲
  • 3篇吴正元
  • 3篇刘刚
  • 3篇马稚尧
  • 3篇伍晓芳
  • 3篇刘锋
  • 3篇刘刚

传媒

  • 12篇华中理工大学...
  • 3篇Journa...
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇功能材料
  • 2篇磁性材料及器...
  • 2篇微电子学
  • 2篇压电与声光
  • 1篇传感器技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇分析科学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电工技术杂志
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇青岛大学学报...

年份

  • 1篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
  • 6篇2002
  • 8篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1999
  • 4篇1998
  • 2篇1997
  • 7篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铁电存储器研究进展被引量:21
2002年
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
周志刚王耘波王华于军谢基凡郭冬云
关键词:铁电存储器铁电薄膜FRAMFFET
铁电微电容的制作工艺被引量:1
1995年
研究了铁电电容的制作工艺,摸索了P(L)铁电薄膜及上、下电极材料的微细图形加工工艺条件,总结出切实可行的工艺流程及相应的工艺条件。
曹广军吴正元于军周文丽陈萍丽谢基凡
关键词:铁电薄膜铁电电容铁电材料
电子镇流器的可靠性设计
1996年
讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法,并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了HUST-YZ40EB型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案.
于军谢基凡刘刚周文利
关键词:电子镇流器可靠性
双极型荧光灯电子镇流器
本实用新型提供一种高性能荧光灯电子镇流器,高频振荡管采用双极型硅平面功率晶体管(BJT)。在一般电子镇流器电路基础上,设置有结构独特的触发电路、谐波抑制电路、预热延时启动电路和异常状态自保护电路。电子镇流器全性能达到国际...
谢基凡于军
文献传递
纳米硅微结构的测量与控制被引量:1
2001年
文章应用电化学方法获得了纳米硅微粒材料。通过 TEM的分析测算 ,知其平均粒度在 2~ 5 nm之间。在暗室中 ,能见其萤光辐射。并在同一溶液中 ,采用不同电流密度和反应时间 ,制作了不同的硅微粒薄膜样品 ;利用基于分形理论和计算机图像处理技术的软件 ,对样品电镜照片的图像灰度值进行计算及数据处理 ,求得了相应样品的分形参数 ,找到了分形参数随微粒大小及密度而变化的规律。提出了获得均匀一致、粒径可控的纳米硅材料的新方法。
刘刚于军谢基凡
关键词:纳米微粒微结构分形几何学纳米硅电化学
Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究被引量:2
1997年
采用PLD(PulsedLaserDeposition)工艺制备Au/Pb(Zr,Ti)O3/SiO2/Si异质结构.这种结构的铁电场效应晶体管(FFET)的电性能由I-V和C-V特性表征.Au/Pb(Zr,Ti)O3/SiO2/Si异质结构的C-V曲线表现为极化开关,对应500nmPZT,记忆窗口约3V.实验表明Au/PZT/SiO2/Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能.
于军周文利赵建洪谢基凡黄歆
关键词:铁电薄膜场效应晶体管FET
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟被引量:2
2002年
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管 ( FEMFET)的 I- V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念己不再适用 ,由于铁电层反偏偶极子的开关作用 ,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化 。
周志刚王耘波于军谢基凡徐静平刘刚王华朱丽丽
关键词:场效应晶体管I-V特性极化
一种模拟温度补偿晶体振荡器补偿参数自动设置系统被引量:6
2003年
介绍了一种采用快速获取数据方法的模拟温度补偿晶体振荡器 (ATCXO)的补偿参数自动设置系统。该系统通过快速测量和计算 ,自动生成补偿网络参数。经过试验和测试分析 ,在 - 10~ +6 0℃温度范围内 ,AT切 TCXO的频率稳定度达到± 0 .5 ppm,同时极大地提高了 TCXO的生产效率、降低了生产成本。
喻骞宇高俊雄刘刚谢基凡王耘波于军
关键词:补偿网络石英晶体振荡器
MOS型荧光灯电子镇流器
本实用新型提供一种高性能荧光灯电子镇流器,高频振荡变频器件采用VDMOSFET功率晶体管,设置有整流滤波电路、触发电路、谐波抑制电路、高频振荡电路、预热延时启动电路、异常状态自保护电路等。本实用新型的电子镇流器全性能达到...
于军谢基凡
文献传递
新型商用化磁阻式传感器被引量:5
2001年
磁电子学 (或自旋电子学 )是把物理学和电子学结合起来的新兴学科 ,已成为当今的热点研究领域之一。利用磁电子学中的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁阻式传感器 -GMR传感器。与传统的磁阻式传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点 ,具有广泛的应用前景。就目前已商业化的几种GMR传感器的工作原理作一评述。
颜冲于军王耘波谢基凡高俊雄周东祥WANG Hua王华
关键词:巨磁电阻传感器灵敏度磁电子学
共5页<12345>
聚类工具0