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谢泉

作品数:255 被引量:457H指数:14
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目贵州省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 183篇期刊文章
  • 60篇专利
  • 10篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 80篇理学
  • 51篇电子电信
  • 46篇一般工业技术
  • 24篇金属学及工艺
  • 18篇化学工程
  • 13篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 3篇文化科学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 50篇溅射
  • 47篇光学
  • 42篇电子结构
  • 42篇子结构
  • 41篇第一性原理
  • 39篇磁控
  • 39篇磁控溅射
  • 37篇光学性
  • 37篇光学性质
  • 30篇半导体
  • 28篇退火
  • 25篇合金
  • 23篇掺杂
  • 19篇半导体材料
  • 18篇导电
  • 18篇第一性原理计...
  • 17篇FESI
  • 16篇SI
  • 15篇真空
  • 14篇电阻

机构

  • 216篇贵州大学
  • 28篇湖南大学
  • 13篇安顺学院
  • 13篇中国科学院上...
  • 10篇长沙交通学院
  • 7篇贵州民族大学
  • 5篇贵州师范大学
  • 3篇贵阳学院
  • 3篇绵阳师范学院
  • 3篇中国科学院微...
  • 3篇贵州合聚融创...
  • 2篇铜仁学院
  • 2篇贵州师范学院
  • 2篇瓮福(集团)...
  • 2篇湖北民族大学
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇湖南师范大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇南华大学
  • 1篇中国科学院北...

作者

  • 255篇谢泉
  • 78篇肖清泉
  • 77篇张晋敏
  • 54篇陈茜
  • 26篇刘让苏
  • 25篇廖杨芳
  • 24篇彭平
  • 22篇闫万珺
  • 22篇范梦慧
  • 20篇高廷红
  • 16篇谢晶
  • 15篇马瑞
  • 14篇黄晋
  • 13篇郭笑天
  • 13篇干福熹
  • 13篇梁枫
  • 12篇梁艳
  • 12篇曾武贤
  • 12篇崔冬萌
  • 12篇徐仲榆

传媒

  • 17篇纳米科技
  • 16篇功能材料
  • 14篇材料导报
  • 11篇光学学报
  • 9篇物理学报
  • 8篇原子与分子物...
  • 7篇贵州大学学报...
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  • 5篇湖南大学学报...
  • 5篇材料研究学报
  • 5篇电子元件与材...
  • 5篇中国科学(G...
  • 4篇材料科学与工...
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇科学通报
  • 3篇合成橡胶工业
  • 3篇电子技术与软...
  • 2篇光谱实验室
  • 2篇电子科技
  • 2篇半导体技术

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 19篇2019
  • 2篇2018
  • 15篇2017
  • 21篇2016
  • 23篇2015
  • 13篇2014
  • 10篇2013
  • 17篇2012
  • 12篇2011
  • 24篇2010
  • 22篇2009
  • 8篇2008
  • 14篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2002
  • 5篇2001
255 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溅射工艺参数对AgInSbTe相变薄膜光学性质的影响被引量:6
2001年
采用射频磁控溅射工艺 ,在K9玻璃基片上用Ag In Sb Te合金靶制备了相变薄膜。对沉积态薄膜在 30 0℃下进行了热处理 ,测量了薄膜的光学性质。通过改变本底气压、溅射气压及溅射功率 ,研究了工艺参数对薄膜光学性质的影响。实验表明 ,本底气压、溅射气压及溅射功率综合决定了AgInSbTe薄膜的光学性质。对AgInSbTe薄膜的制备 ,选择较高的本底真空度、适当的溅射气压及溅射功率是非常重要的。
李进延侯立松阮昊谢泉干福熹
关键词:射频磁控溅射光学性质
制备Mn掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法
本发明公开了一种磁控溅射方法制备Mn掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法,其特征在于:它包括以下过程:第一,清洗Si片;第二,采用磁控溅射方法,在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜,或Fe/M...
谢泉张晋敏肖清泉曾武贤梁艳王衍马道京
文献传递
Ni-Si-B系非晶合金的晶化、结晶度的测定及与电阻性能关系的研究
谢泉
一种可调节的体育锻炼装置
本发明提供了一种可调节的体育锻炼装置,包括底座;所述底座内部形成储物仓;所述储物仓内部通过螺钉安装有支撑杆;所述支撑杆上端固定有加强梁;储物仓左侧壁上通过铰链连接有仓门;底座下端四周均匀焊接有固定块;所述固定块中部设置有...
刘贝贝高廷红谢泉李凯文王莹
文献传递
一种智能车位锁及其控制方法
本发明公开了一种智能车位锁及其控制方法,该智能车位锁包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒,所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接,在固定套筒的底部还设置有控制箱,在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单...
谢泉廖杨芳吴宏仙房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
文献传递
电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜工艺
本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内,对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽,预蒸发1~2min,再正式开始蒸镀。蒸镀时...
谢泉肖清泉赵珂杰张晋敏陈茜余志强
文献传递
外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响
2015年
采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究了Cr-Se共掺杂单层MoS2未施应变和(0001)面施加应变的光电特性。计算结果表明:未施加应变体系属直接带隙半导体,张应变下体系的带隙值随应变增加而减小,压应变下带隙值随应变增加先增加后减小,在应变为-6%时转化为Γ-M间接带隙半导体,带隙值达到极大值1.595eV;介电函数和折射率随张应变的增加而增加,随压应变增加先减小后增大,在压应变为-6%时达到极小值3.627和1.905;光电导率和能量损失函数随张应变增加而减小,随压应变增加先增加后减小,应变分别为-5%和-2%时达到极大值2.588和9.428。可见,应变能更精细地调制Cr-Se共掺杂单层MoS2的光电特性。
范梦慧蔡勋明岑伟富骆最芬闫万珺谢泉
一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法
本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺,它包括下述步骤:首先,选取单晶Si片作衬底,清洗吹干;然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜,再溅射沉积一层Fe膜,形成Si/Si/Fe结构,使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1;...
谢泉谢晶刘栋高赐国张晋敏肖清泉陈茜廖杨芳范梦慧黄晋
文献传递
MG2SI电子结构及光学性质的研究
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了MG2SI基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明MG2SI属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994EV;其价带主要由SI的3P以及MG的3S、3P态电子构成,导带主...
陈茜谢泉闫万珺杨创华赵凤娟
关键词:半导体材料第一性原理电子结构光学性质
文献传递网络资源链接
BaSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量:2
2009年
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.086eV;其价带主要是由Si的3s,3p及Ba的5d态电子构成,导带主要由Ba的6s,5d及Si的3p态电子构成;静态介电函数ε1(0)=11.17;折射率n0=3.35;吸收系数最大峰值为2.15×105cm-1.
赵凤娟谢泉陈茜杨创华
关键词:第一性原理电子结构光学性质
共26页<12345678910>
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