您的位置： 专家智库 > >

贾士亮

作品数：6 被引量：12H指数：2
供职机构：北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电池
  • 3篇性能研究
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇光电
  • 3篇光电性
  • 3篇光电性能
  • 3篇PECVD
  • 3篇ITO膜
  • 2篇纳米硅
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇导体
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇直流磁控溅射...
  • 1篇绒面
  • 1篇实时监测
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米硅薄膜

机构

  • 6篇北京航空航天...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 6篇张维佳
  • 6篇贾士亮
  • 4篇丁照崇
  • 4篇张心强
  • 3篇王天民
  • 3篇闫兰琴
  • 3篇武美伶
  • 3篇金飞
  • 3篇刘浩
  • 2篇吴倞
  • 2篇郭卫
  • 2篇李国华

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇2006北京...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
纳米硅薄膜太阳能电池的绒面结构研究被引量：4
2009年
通过对比NaOH/乙二醇和NaOH/异丙醇两种体系的优劣,进行不同腐蚀时间和温度下的绒面制备试验,得到了优化的绒面制备工艺和绒面纳米硅薄膜太阳能电池。结果表明:衬底具有完整规则的"金字塔"结构,反射率为11.02%。制备的绒面纳米硅薄膜太阳能电池在标准条件(AM1.5,辐照强度0.1W/cm2,(25±1)℃)下测试,其性能参数为:S为1cm2,Voc为528mV,Isc为28.8mA,η为7.2%。相比较于无绒面结构电池,η提高了2.4%。
贾士亮张维佳刘浩张心强郭卫吴倞
关键词：太阳能电池绒面单晶硅纳米硅薄膜PECVD
纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制被引量：1
2007年
通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高.
金飞张维佳贾士亮丁照崇闫兰琴王天民李国华
关键词：PECVD太阳能电池半导体薄膜
掺NbITO膜的光电性能研究
本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及...
丁照崇张维佳金飞闫兰琴张心强武美伶贾士亮王天民
关键词：光电性能直流磁控溅射法
文献传递
掺铌纳米ITO粉末制备及其ITO膜光电性能研究
2008年
采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末，粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶（相对密度达99％以上），用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜（Indium Tin Oxides简称ITO膜）。通过样品电阻实时监测装置，研究分析了溅射成膜时电阻变化规律及真空环境等对样品光电性能的影响。采用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计、X射线衍射（XRD）及电子能谱仪（EDX）对样品进行了测试分析，结果表明：掺铌ITO膜的电阻率最小可达到2．583×10^-4 Ω·cm，可见光范围（400—800nm）平均透过率最高可达到93％。
刘浩张维佳丁照崇贾士亮郭卫吴倞
关键词：ITO膜光电性能实时监测
掺NbITO膜的光电性能研究
本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜。研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响。通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射 （XRD）...
丁照崇张维佳金飞闫兰琴张心强武美伶贾士亮王天民
关键词：ITO膜光电性能
文献传递
纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池被引量：8
2007年
在较高工作气压（332.5-399Pa）下,采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）测试技术对其进行了测试和分析。结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在（111）（、220）和（331）峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小（2-5nm）符合纳米晶的要求。将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结（HIT）太阳能电池,开路电压（Voc）达404mV,短路电流密度（Jsc）可达到34.2mA/cm^2（AM1.5,100mW/cm^2,25℃）。
张心强张维佳武美伶贾士亮刘浩李国华
关键词：纳米硅PECVDHIT太阳能电池
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0