贾婉丽
- 作品数：27 被引量：105H指数：7
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- 相关领域：电子电信理学文化科学轻工技术与工程更多>>
- Photoshop中RGB与HSB的色彩空间转换
- 2002年
- 计算机显示器所显示的颜色采用RGB色彩模型,色彩的改变通过改变R、G、B三者的比例来实现,而人眼看到的颜色变化是饱和度(S)、明度(B).色度(H)三方面的变化.
- 贾婉丽徐锦林
- 关键词：PHOTOSHOPRGBHSB色彩空间转换图像处理
- 一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法
- 本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关，包括半绝缘衬底，在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极，在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域，电触发区域的上方制作有绝缘层，绝缘层的两端分别制作有阴极，阴极与电触发...
- 王馨梅张丽妮曹瑞彬刘艳涛贾婉丽张超
- 光电导开关工作模式的蒙特卡罗模拟被引量：10
- 2007年
- 利用二维ensemble-MonteCarlo方法模拟了直流偏置的半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关在飞秒激光脉冲触发下的两种工作模式.结果表明:当偏置电场低于耿氏电场(GaAs为4.2kV/cm)时,开关输出电脉冲呈线性模式;偏置电场超过耿氏电场但触发光脉冲能量低于光能阈值,光电导开关仍然表现出线性工作模式;当偏置电场和触发光脉冲能量都超过非线性模式("lock-on"模式)所需阈值,开关呈现非线性模式;在光子能量较高的激光脉冲触发下,开关非线性模式所需光能阈值降低.非线性工作模式源于光生载流子发生谷间散射,并在开关体内局部区域形成高场区,电场变化大,弛豫时间长,电脉冲呈现非线性.
- 施卫贾婉丽纪卫莉刘锴
- 关键词：光电导开关负阻效应
- 用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究(英文)被引量：1
- 2003年
- 用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射时 ,开关表现为线性工作模式 ,开关输出峰值电压为 0 8mV .分析表明 ,开关对波长为 15 5 3nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用 .
- 施卫贾婉丽
- 关键词：半绝缘GAAS光电导开关
- 10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计被引量：2
- 2019年
- 漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。提出在半绝缘GaN∶Fe衬底(激光触发区)上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列(电触发区),即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结,利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料的漏电流。器件建模仿真显示,电、光触发区能合理分担10kV外加偏置电压,在相同的电场偏置强度下,器件的漏电流低于传统光电导开关两个数量级,而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区,使光触发区在更高的动态偏置电场下被激光脉冲触发,提高了激光能量利用率。此外,计算分析了激光参数与器件输出特性之间的关系,以进一步提高激光利用率。
- 王馨梅王慧慧张丽妮段鹏冲贾婉丽
- 关键词：光电子学脉冲激光光电导开关氮化镓漏电流
- 光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析被引量：17
- 2007年
- 利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.
- 贾婉丽施卫纪卫莉马德明
- 关键词：光电导开关载流子寿命
- GaAs光电导开关产生太赫兹电磁波的实验及理论分析
- 半导体光电导开关是利用超快激光器与光电导体/(例如：Si、InP、GaAs/)相结合形成的一类新型器件。20世纪90年代初，随着超快激光脉冲技术的发展，人们发现光电导开关在受激光脉冲照射后，除体内能产生可被利用的电脉冲之...
- 贾婉丽
- 关键词：GAAS光电导开关偶极天线蒙特卡罗方法屏蔽效应负阻效应
- 文献传递
- 基于SI-GaAs材料的新型脉冲压缩二极管
- 2021年
- 针对快前沿高重频脉冲的应用需求,设计并研制了一种基于半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料的新型脉冲压缩二极管,通过实验对其压缩性能和重频运行能力进行了测试。实验结果表明,利用此开关能够将前级脉冲的上升沿压缩约270倍和脉宽压缩14倍;并在50Ω负载上,获得脉冲幅度1.3 kV、上升沿约1.6 ns、脉宽40.59 ns的电脉冲,重复频率达1 kHz,总计运行47 min,触发约两百万次。为研究脉冲压缩二极管的工作原理,对其静态伏安特性进行测试。分析认为,在电压初步加载阶段,SI-GaAs材料内的电场增强型的俘获与离化机制导致耐压增强,二极管在实验过程中出现延迟击穿现象;逆向偶极畴效应产生牵引机制,引发快速上升的位移电流,进而导致反偏结雪崩击穿,二极管表现出瞬间负阻特性,在负载上输出高压纳秒电脉冲。新型脉冲压缩二极管无外加触发快脉冲的前级器件,自身可以维持一定时间的强烈雪崩击穿状态,因此具有体积小、生产成本低的优点,可用于制作小型化高重频的纳秒脉冲功率源。
- 屈光辉汪雅馨赵岚徐鸣贾婉丽马丽纪卫莉
- 关键词：SI-GAAS重复频率脉冲功率源
- 基于GaAs光电导开关的超宽带微波源(英文)被引量：4
- 2005年
- 报道了用飞秒激光脉冲触发GaAs光电导开关产生超短电磁脉冲辐射超宽带电磁波的实验结果 ,分析了超短电脉冲串经宽带天线的辐射特性 .在接收端获得了上升时间 2 0 0ps、脉冲宽度 5 0 0ps、重复频率 82MHz的超短电脉冲串和经宽带天线辐射的超宽带电磁波波形 ,其电磁波频谱覆盖 4 7MHz～
- 施卫贾婉丽纪卫莉
- 关键词：GAAS光电导开关超宽带微波飞秒激光脉冲
- 一种二维电子气型光电导纵向开关及其制作方法
- 本发明公开了一种二维电子气型光电导纵向开关，包括半绝缘衬底层，半绝缘衬底层的下方依次制作有重n型掺杂区和阳极，半绝缘衬底层的上方设有外延层。本发明还公开了一种二维电子气型光电导纵向开关的制作方法，本发明提供了开关能够改善...
- 贾婉丽邹旭曹跃龙王馨梅张翔
- 文献传递
