赵敬伟
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信轻工技术与工程一般工业技术更多>>
- 退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究被引量：2
- 2010年
- 应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si(LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响。实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6min的样品具有较好的物理性能。在418kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22μC/cm2和83kV/cm。LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7kV/cm时为欧姆导电,高于46.7kV/cm时为肖特基导电机制。
- 郭颖楠刘保亭赵敬伟王宽冒王玉强孙杰陈剑辉
- 关键词：退火工艺PZT磁控溅射法溶胶-凝胶法
- SrRuO_3导电层对快速退火制备Pb(Zr,Ti)O_3薄膜结构和性能的影响被引量：6
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响。XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3μC/cm2、1.2V和17.4μC/cm2、2.1V。在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题。
- 王宽冒刘保亭倪志宏赵敬伟李丽李曼周阳
- 关键词：锆钛酸铅快速退火
- PbZr<,0.4>Ti<,0.6>O<,3>铁电电容器的集成研究
- 采用溶胶-凝胶法制备PbZr0.4Ti0.6O3（PZT）铁电薄膜，磁控溅射法生长FePt、Pt等电极材料，架构了不同衬底和不同电极的PZT 电容器。采用磁控溅射法生长阻挡层材料，制备FePt/PZT 铁电铁磁异质结薄膜...
- 赵敬伟
- 关键词：溶胶-凝胶法铁电电容器磁控溅射法铁电性能
- 文献传递
- 激光微区等离子体光谱测定铁电薄膜材料组份的元素比率被引量：1
- 2008年
- 本文在常压空气环境下,以单脉冲YAG激光作为激发源,通过辅助电极激发,获得了铁电薄膜样品上不同位置处的等离子体发射光谱。利用最小二乘法对铁电薄膜样品中Co、Sr和La的光谱数据进行处理,得到了元素谱线辐射强度比和原子个数比之间的线性因子Kij,并利用线性因子Kij计算了铁电薄膜上不同位置处的元素比率。结果表明,激光微区等离子体光谱法可以用于测定亚微米薄膜材料中的元素比率。
- 冯强怀素芳张雷赵敬伟郭庆林刘保亭
- 关键词：铁电薄膜
- 玻璃基Pt/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/ITO电容器的结构及物理性能研究
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有(101)高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm2和2.5×109Ω.cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
- 周阳程春生赵敬伟郑红芳赵庆勋彭英才刘保亭
- 关键词：溶胶-凝胶法电学性能
- 脉冲激光沉积法制备的Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3铁电薄膜漏电机理
- 2009年
- 利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上制备了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt上电极,构架了Pt/PZT/Pt铁电电容器异质结.采用X射线衍射和电容耦合测试技术分别表征了PZT铁电薄膜的微结构和电学性能.研究发现:在5 V的测试电压下,在560℃较低的沉积温度下生长的PZT薄膜电容器的剩余极化强度为187 C/m2、矫顽电压为2.0 V、漏电流密度为2.5×10-5A/cm2.应用数学拟合的方法研究了Pt/PZT/Pt的漏电机理,发现当电压小于1.22 V时,Pt/PZT/Pt电容器对应欧姆导电机理;当电压大于2.30 V时,对应非线性的界面肖特基传导(Schottky emission)机理.
- 陈剑辉刘保亭孙杰霍骥川赵敬伟王玉强赵庆勋
- 关键词：铁电薄膜脉冲激光沉积
- 玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能
- 2010年
- 采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。
- 赵敬伟刘保亭郭颖楠边芳陈剑辉
- 关键词：磁控溅射法SOL-GEL法铁电性能
