赵英杰
- 作品数：5 被引量：12H指数：3
- 供职机构：长春光学精密机械学院更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- 1.55μm大光腔激光器被引量：3
- 1992年
- 高功率1.55μm激光器长期以来一直为人们所重视和追求.本文通过合理设计,采用适宜的生长技术,首次成功地制备了大光腔结构,从而实现了脉冲输出功率高达2W以上的激光器.器件还具有阈值电流低(宽接触型结构的J_(th)≤2.7kA/cm^2),温度稳定性高(T_0≈130K)的特点,同时具有良好的光谱模式,是这一波段的理想光源.
- 钟景昌朱宝仁黎荣晖赵英杰
- 关键词：半导体激光器大光腔
- 子弹壳尺寸高速光电自动检验仪的光学系统分析和设计被引量：4
- 1997年
- 本自动检验仪是光、机、电、算相结合的非接触式高速自动测量弹壳长度和底部直径的仪器。在子弹壳生产线上测量精度为0．02mm，测量速度为250件／分。本文介绍了光学系统的设计，包括光路的选择；光源和有关参数的选取和计算。更重要的是导出了在远心光路中，物体沿轴向移动时，在原象平面位置上光斑直径的表达式；讨论了，投影物镜的放六倍数β，光束孔径角u与CCD节距的关系。
- 黎荣晖郑守柱赵英杰田津
- 关键词：投影物镜
- 堆积式列阵半导体激光器被引量：2
- 1999年
- 本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－３μｍ 激光器，脉冲峰值功率超过３ｗ （ 瓦）［ １］ ， 单个１－５５μｍ 激光器， 脉冲峰值功率超过２ Ｗ［ ２］ 。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现， 列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和； 而减小的比率随着单元数目增加而增加。我们制成３ ×４ 单元的１－３μｍ 列阵激光器， 其脉冲峰值功率大于２４ Ｗ； ４ ×４ 单元的１－５５μｍ 列阵激光器， 它的脉冲峰值功率大于２０ Ｗ。
- 赵英杰黎荣晖晏长岭钟景昌
- 关键词：半导体激光器激光器
- 高功率1.55μm半导体激光器被引量：3
- 2000年
- 1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T0 为 50～ 70K[1] ;而本文研制的大光腔结构为 10 0～ 140K。激光器的寿命超过 10 0
- 黎荣晖赵英杰晏长岭钟景昌
- 关键词：半导体激光器液相外延SEMICONDUCTORLIZHAO
- 列阵半导体激光器的噪声
- 1993年
- 重点报道列阵GaAs-AlGaAs激光器相对强度噪声的测量结果,并和单元器件作了比较.实验测量包括相对强度噪声和驱动电流、调制频率以及温度的关系,并验证了在这些情况下相对强度噪声在激光器处于阈值时具有最大值的理论予言.
- 钟景昌黎荣晖朱宝仁赵英杰
- 关键词：半导体激光器列阵噪声
