邢友翠
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 抛光背垫对比分析
- 2013年
- 通过改善抛光布与硅片间的压强分布的均匀性,可以获得硅片表面最佳平坦化效果。抛光背垫直接接触硅片背面,对硅片与抛光布间的压强分布存在影响。通过3种抛光背垫的抛光实验对比,验证抛光背垫对硅片平坦化的影响,并寻找出较好的抛光背垫。
- 邢友翠
- 关键词：平坦化
- 区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
- 2018年
- 因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析,并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌。单晶生长实验结果表明,除生长速率与晶体中的微缺陷变化具有明显的对应关系外,晶体生长界面附近的温度梯度、晶体直径以及晶体生长的气氛环境等因素也与晶体中的微缺陷直接相关。
- 邢友翠闫萍刘玉岭李万策
- 关键词：硅单晶
- 高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命被引量：2
- 2010年
- 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
- 佟丽英王俭峰史继祥张继荣邢友翠戚红英李亚帅
- 关键词：锗单晶禁带宽度光注入少子寿命
