郑丁葳
- 作品数：6 被引量：18H指数：2
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 掺杂Al对DC反应溅射ZnO薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,光学折射率和带隙的变化不大,薄膜的晶面间距趋于一稳定值0.266 nm。分析表明掺杂的Al均作为施主对载流子浓度作出了贡献,影响薄膜导电性能的主要原因被推断为晶格中的缺陷等因素导致了载流子的局域束缚。
- 赵强孙艳郑丁葳倪晟王基庆袁先漳
- 关键词：ZNO薄膜电阻率反应溅射
- 磁控溅射制备透明导电氧化物薄膜一些研究
- znO是一种宽禁带半导体材料，被广泛应用于压电器件，发光器件，紫外探测器，透明导电薄膜等领域。近年来，ZnO透明导电薄膜的研究发展备受关注。
本文综合论述了透明导电薄膜尤其是znO薄膜的研究进展及应用前景，介绍...
- 郑丁葳
- 关键词：氧化锌透明导电氧化物薄膜直流磁控溅射光电特性宽禁带半导体
- 文献传递
- 不同氧分压下直流反应溅射ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：13
- 2007年
- 在室温,不同氧分压条件下,采用Zn靶直流反应溅射在石英衬底上制备了具有纤锌矿结构(002)择优取向的ZnO薄膜。薄膜的生长速率随氧分压的增大而减小,在20%-30%之间存在一个拐点,在此点之前,溅射产额减小的速率很快,而在此点之后,溅射产额减小的速率减慢了很多,当氧分压在30%以上时,溅射过程中Zn的氧化在靶表面就已经完成。通过单振子模型分析了薄膜的光学特性,采用X射线衍射的方法对薄膜的晶粒尺寸和应力进行分析。研究结果表明在氧分压20%以上时,薄膜在可见光波段具有较好的光学透明性和很高的电阻率。薄膜的光学折射率、晶面间距和内部应力均随着氧分压的增大而增大。并从薄膜生长机理上给出了理论解释。
- 郑丁葳倪晟赵强王基庆
- 关键词：薄膜光学ZNO薄膜光学特性
- 金刚石中NV色心的操控和研究
- 郑丁葳
- 激光冷却与囚禁镱原子实现光学原子钟
- 本文给出了激光冷却与囚禁镱原子的最新研究结果。其中包括镱原子束的横向二维冷却、纵向塞曼减速以及最终在磁光阱中冷却与囚禁。并为最终实现光学原子钟提出实验方案。
- 徐信业李国辉周庆红王文丽郑丁葳
- 关键词：激光冷却磁光阱
- 文献传递
- 晶格氧对LaNiO_(3-x)薄膜导电性的影响被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射制备了具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构的LaNiO3-x薄膜,并对薄膜在265℃的衬底温度下进行了原位热处理。测试结果表明薄膜具有金属导电性,薄膜中晶粒大小约为10 nm,并且热处理对薄膜的结构没有影响。同时,随着热处理时间延长,薄膜晶格的含氧量、电导率、光学折射率以及消光系数都将逐步降低。该文采用经典电磁理论,通过计算机模拟成功解释了这些实验结果和证明了以前给出的理论解释。此外,数值模拟和实验结果同时表明在纯氩气氛中溅射制备的LaNiO3薄膜晶格中存在氧空位,为了提高电导率,溅射时的氧气比例应超过20%。
- 郑丁葳赵强王基庆
- 关键词：LANIO3
