郑红军
- 作品数：27 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 降低GaAs抛光晶片亚表面损伤层的分析
- 作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并用TEM测量晶片亚表面损伤层厚度.
- 郑红军卜俊鹏尹玉华惠峰
- 关键词：砷化镓抛光电学性质
- 文献传递
- GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：3
- 1999年
- 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。
- 郑红军卜俊鹏何宏家吴让元曹福年白玉珂惠峰
- 关键词：砷化镓抛光亚表面损伤层
- 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
- 2008年
- 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：砷化镓LEC微缺陷位错分布
- 双面抛光机
- 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；...
- 朱蓉辉赵冀惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 一种晶片工艺卡具
- 本发明涉及晶片加工工具技术领域，特别是一种晶片工艺卡具。由侧推立柱(1)，四面锥体(2)以及卡具体(3)组成，卡具体(3)同其他工艺部分连接，连接方式根据需要设定。晶片卡具由侧推立柱1，四面锥体底座2，卡具体3组成。侧推...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 精密多线切割和研磨用切磨粉体材料
- 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
- 本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质it和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度范围为300m~1000m碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的...
- 姚康刘立娜何烜坤李素青马春喜高飞张红岩陆敏郑红军房玉龙芦伟立丁雄杰刘薇李嘉炜晏阳钮应喜杨玉聪黄树福
- X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：8
- 1998年
- 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．
- 曹福年卜俊鹏吴让元郑红军惠峰白玉珂刘明焦何宏家
- 关键词：抛光晶片亚表面损伤层
- 硅中碳的研究
- 梁骏吾黄大定邓礼生郑红军汪光川刘凤
- 阐明了碳在硅中行为，降低碳沾污方法，碳对硅质量的影响，碳与氧的相互作用以及其对硅中沉淀物的影响。解决了制备低含碳量硅单晶的技术问题。内容有：（１）阐明了直拉硅单晶生长时碳沾污的来源是石英坩埚与石墨托间的热化学反应。求得了...
- 关键词：
- 关键词：单晶硅元素半导体半导体碳硅
- 非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究
- 人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视...
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：微缺陷抛光晶片晶体缺陷光散射
- 文献传递
