陈小焱
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：兰州理工大学材料科学与工程学院甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 直流磁控溅射制备ZAO透明导电薄膜及性能研究被引量：5
- 2013年
- 运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2%(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析。通过正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZAO薄膜的最佳组合工艺为基片温度200℃,溅射功率40W,氧流量百分比20%,退火温度400℃,获得薄膜样品最低方块电阻11Ω/□,薄膜具有最好的发光性能,适合作为薄膜太阳电池的透明导电电极。
- 陈小焱王璟丁雨田
- 关键词：ZAO薄膜直流磁控溅射正交实验光电性能
- Al掺杂ZnO纳米棒光阳极的制备及其在染料敏化太阳电池中的应用被引量：6
- 2013年
- 采用化学水浴法制备Al掺杂的ZnO纳米棒阵列,研究其在染料敏化太阳能电池中的性能。X射线分析和X射线光电子能谱分析表明:Al成功掺入ZnO晶格内;ZnO:Al具有六方纤锌矿型结构;少量的Al掺杂并没有引起ZnO晶体结构的变化。利用线性伏安扫描得到电池的伏安曲线表明Al掺杂ZnO纳米结构能够提高电池的光电转换效率η。当前驱体溶液中Zn源的初始浓度为0.01mol/L时,制备的掺5%Al的ZnO薄膜染料敏化太阳能电池的η为0.42%,与未掺杂的ZnO电池相比,其光电转换率提高明显。
- 王璟丁雨田陈小焱张增明尚兴记
- 关键词：纳米棒染料敏化太阳电池
- ZnO和ZnO：Al纳米阵列的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用
- 染料敏化太阳能电池/(Dye Sensitized Solar Cells, DSSC/),具有丰富的资源、低廉的成本、稳定性较好、生产过程简单、无毒且易于大规模生产等优点,作为第三代太阳能电池受到研究人员的关注。尽管D...
- 陈小焱
- 关键词：染料敏化太阳能电池ZNO薄膜ZAO薄膜纳米棒阵列
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化被引量：7
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比(1∶3、1∶4),不同溅射功率密度(24、40、48W/cm2)及不同热处理温度(400、800℃)条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、AFM、XRD表征,分析磁控溅射相关工艺参数对预制ZnO晶种层的影响机理,发现在O2/Ar分压比为1∶4,溅射功率密度为40W/cm2及800℃热处理条件下制备的ZnO晶种层质量最优.
- 丁雨田张杨王璟胡勇陈小焱
- 关键词：反应磁控溅射
- 基于直流磁控溅射晶种层的ZnO纳米阵列的制备及性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用直流反应磁控溅射法制备晶种层薄膜,研究O2/Ar气体分压比和退火温度对晶种层结构和微观形貌的影响。通过化学水浴沉积,在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构,研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响。结果表明,当O2/Ar中O2分压减少,薄膜均匀性较差,当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整。退火温度增加,晶粒尺寸增大,内应力降低。磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长,(002)晶面的衍射峰强最高,说明纳米棒沿c轴择优取向。生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著,随着生长液浓度的升高,ZnO纳米阵列直径增大,顶端趋于平整的六棱柱结构。
- 王璟丁雨田张杨陈小焱张增明尚兴记
- 关键词：直流磁控溅射纳米阵列ZNO
- 晶种辅助化学水浴合成Al掺杂ZnO纳米棒阵列被引量：3
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在玻璃基底上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为晶种层,在硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)与六亚甲基四胺(C6H12N4)等摩尔浓度反应溶液中添加不同摩尔分数的硝酸铝(Al(NO3)3.9H2O),用化学水浴法合成Al掺杂ZnO(ZAO)纳米棒阵列。X射线衍射结果表明,少量的Al掺杂并不影响ZnO晶体结构,ZAO具有六方纤锌矿型结构。利用扫描电子显微镜、荧光分光光度计、四探针测试仪研究了溶液中Zn源的初始浓度和Al的掺杂量对ZAO纳米形貌、结构和光电性能的影响。结果表明,Al掺杂提高了ZAO薄膜的导电性,当前驱体溶液中Zn源的初始浓度为0.03 mol/L时,制备的掺2%Al的ZAO薄膜沿c轴生长且结晶性好,具有电阻率小和最好的光致发光性能。
- 王璟陈小焱张增明丁雨田
- 关键词：掺铝氧化锌纳米棒
