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蒋湘

作品数:13 被引量:27H指数:3
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇放大器
  • 4篇CMOS
  • 3篇电路
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇限幅
  • 3篇限幅放大器
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇跨阻放大器
  • 3篇光接收
  • 3篇半导体
  • 2篇带隙
  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准电压
  • 2篇带隙基准电压...
  • 2篇信号
  • 2篇通信
  • 2篇接收机
  • 2篇互补型金属氧...
  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源

机构

  • 6篇华中科技大学
  • 5篇武汉邮电科学...
  • 4篇烽火通信科技...
  • 2篇光纤通信技术...
  • 1篇武汉大学

作者

  • 13篇蒋湘
  • 3篇邹雪城
  • 2篇杜明鲜
  • 2篇童志强
  • 2篇黄晓敏
  • 2篇周华
  • 1篇陶玉茂
  • 1篇杨壮
  • 1篇王豪
  • 1篇任娟
  • 1篇沈绪榜
  • 1篇黄启俊
  • 1篇付先成
  • 1篇余国义
  • 1篇王丽芳
  • 1篇王丽芳
  • 1篇陈伟
  • 1篇陈朝阳
  • 1篇张涛
  • 1篇冯炜

传媒

  • 4篇光通信研究
  • 1篇半导体技术
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子工程师
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇2009通信...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2001
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
带AGC的CMOS光接收机前置放大器的设计被引量:3
2005年
设计了一种带有自动增益控制电路(AGC)的动态范围较宽的互补型金属氧化物半导体(CMOS)光接收机跨阻前置放大器(TIA)。该放大器的工作电压为3.3 V。采用0.25μm CMOS工艺库仿真,结果表明:小信号输入时,跨阻增益可达76 kΩ,单端输出信号在输入信号为0 dBm时为281 mV。
王丽芳周华冯炜蒋湘
关键词:自动增益控制电路跨阻前置放大器
一种高精度的CMOS带隙基准电压源被引量:16
2004年
设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达 3× 10 - 6 /℃ ,电源抑制比可达 75dB。还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路 ,以保证电路工作点正常、性能优良 ,并使电路的静态功耗较小。
黄晓敏沈绪榜邹雪城蒋湘
关键词:CMOS带隙基准电压源电源抑制比静态功耗
一种高精度的带隙基准电压源及电流源被引量:6
2004年
设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源 ,该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达5ppm/℃ ,电源抑制比可达到 6 2dB。在此基础上设计了一种基准电流源 ,其温度系数可达 6 ppm/℃ ,输出电流变化率仅为0 .0 3% /V。
黄晓敏陈朝阳邹雪城蒋湘
关键词:CMOS带隙电压源电流源
采用0.35μm BiCMOS工艺的1.25Gbps激光驱动器研究
2007年
本文中介绍了一种速率为1.25Gbit/s的激光二极管驱动器的设计。为了保持工作中的稳定平均输出功率和恒定消光比,采用了温度补偿电路和自动功率控制电路。介绍了调制主通道的结构和其他功能模块的结构和实现原理,并介绍了部分电路和仿真结果。芯片采用0.35μm BiCMOS工艺实现.实测结果表明在+3.3V供电电压,1.25Gbit/s速率下,电路输出眼图清晰,可以提供5~85mA调制电流。可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。
陈伟蒋湘杜明鲜王丽芳
关键词:激光驱动器自动功率控制
FTTH光模块集成电路设计与验证
随着信息技术的高速发展,光纤到户越来越成为通信领域的热点。本文提出一套用于FTTH /(Fiber To The Home/)光收发模块集成电路的系统结构和电路实现,并加以完备的仿真和验证,以构建一个完整的光纤到户光收发...
蒋湘
关键词:模拟集成电路设计FTTH跨阻放大器限幅放大器激光驱动器时钟与数据恢复
文献传递
制造工艺低相关的AGC跨阻放大器
2006年
文章提出了一种速率为622Mbit/s的带自动增益控制(AGC)和自动偏移补偿(AOC)的光通信用跨阻集成放大器电路。本设计采用了中芯国际0.25μm 1P3M的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。HSPICE仿真结果表明,在各种偏差最大的工艺条件下。跨阻放大器初始增益的浮动区间为-10.2%-9.7%,而AGC的初始偏置电压的浮动区间为-0.384%-0.307%。
蒋湘邹雪城杜明鲜余国义付先成
关键词:模拟电路跨阻放大器光通信互补金属氧化物半导体
IP数据业务在OTN上传输的研究
传输效率是光通信中的重要指标,而影响效率的重要因素就是业务的封装形式。本文从OTN的分层和帧结构出发,分析了OTN的特点,并重点讨论了IP数据业务在OTN上传输的实现方法。
屈琴书蒋湘张涛
关键词:OTNGFP
文献传递
自由与统制之间:民国时期成舍我对国民党的态度
成舍我作为中国近现代新闻史上自由报人的代表,在新闻实业和新闻教育上成就斐然。从青年时参加国民党到转身报业,之后开始在国民党统治下进行民营报业经营实践,成舍我与国民党要员的关系、对国民党政权的态度,随着时代背景与政治环境的...
蒋湘
关键词:新闻事业史成舍我国民党民国时期
文献传递
一种高速信号的可编程有源连续时间均衡器的设计
2011年
介绍了一种基于0.18μm标准CMOS工艺实现的,用于均衡1.25 Gb/s高速信号的可编程有源连续时间均衡器。通过外部可编程逻辑器件输出的控制信号,控制该均衡器的输入信号Ctrl,从而改变其高频增益提升系数,最大可以实现长达40英寸(1 000 mm)的FR-4背板传输线衰减后的接收信号的均衡。该均衡器的电路主要由R-C电阻电容衰减差分放大器和MCML输出缓冲级组成,其中R-C放大器完成输入信号的高频增益提升,MCML缓冲级完成输出信号的整形并提供一定的增益。该均衡器的工作电压为1.8 V,在输入信号速率为1.25 Gb/s时,总的工作电流为1.6 mA。
李瑞蒋湘
关键词:互补型金属氧化物半导体背板
带有电流监控的1.25Gbit/s CMOS跨阻放大器
2011年
文章提出一种速率为1.25 Gbit/s、具有可控电流监控的光纤通信用跨阻放大器(TIA)电路,该放大器可以通过拉电流和灌电流两种方式来检测电流监控的电流流向。设计使用的是0.18μm的标准互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺。仿真结果表明,光电流在1μA^1 mA范围内时,各种工艺条件下检测到的光电流误差均小于5%。
任娟童志强蒋湘
关键词:跨阻放大器光通信互补型金属氧化物半导体
共2页<12>
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