朱美芳
- 作品数：18 被引量：80H指数：5
- 供职机构：中国科学技术大学研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 热丝助PECVD制备多晶硅薄膜的结构特点
- 将热丝(钨丝)作为催化器平等地抛引入等离子体增强化学气相沉积,建立热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度、射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度T<,f>对硅薄膜晶化的影响.结果表明,随着T<,...
- 冯勇刘丰珍朱美芳刘金龙韩一琴
- 关键词：多晶硅薄膜晶化
- 文献传递
- 氢化微晶硅薄膜电输运性质的研究
- 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法制备了不同晶态比(X<,c>)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了μc-Si:H薄膜的暗电导率(σ<,d>)与X<,c>的关系,测量了μc-Si:H薄膜的暗电导温度特性.针对薄...
- 刘丰珍冯勇朱美芳韩一琴刘金龙
- 关键词：微晶硅薄膜
- 文献传递
- 共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu^(3+)到Eu^(2+)的转变被引量：1
- 2001年
- 采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2 方法得到SiO2 (Eu)薄膜 ,Eu离子的浓度为 4%和 0 .5 % .对样品X射线吸收近边结构 (XANES)的研究和分析表明 ,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2 +的转变 .SiO2 (Eu)
- 刘丰珍朱美芳刘涛李秉程
- 关键词：XANES二氧化硅薄膜
- 不同含氮量的a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格界面性质的研究
- 1991年
- 通过电调制吸收、光热偏转谱、光致发光及红外吸收谱等实验技术,研究了不同含氮量的a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的界面性质。由电调制吸收测试得出的界面电荷密度Q_s～10^(12)cm^(-2)。Q_s比由光热偏转谱所获得的界面态密度N_i～10^(11)cm^(-2)大出约半个数量级。N_i,Q_s,及光致发光相对峰值强度I_(pl)随氮含量N/Si=x的变化有类似的行为,并在x=x_c处呈现极值(x_c为氮含量临界值)。当xx_c时,则随x的上升而减少,I_(pL)呈现相反的变化关系。x_c≈0.85—0.95,该值与N—H键的红外吸收强度在x_c附近迅速上升相对应。讨论了界面不对称及存在x_c临界值的可能机制,提出荷电的氮悬键模型来解释有关的现象。
- 朱美芳宗军张秀增
- 关键词：氮A-SI:H超晶格
- 铕离子注入氧化硅膜光发射的研究被引量：1
- 1999年
- 采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２ 薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ － ２及１０１５ｃｍ － ２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋ 硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋ 的红光发射．在１２００℃下氮气中退火观察到Ｅｕ２＋ ４５０ｎｍ 的强光发射．讨论了Ｅｕ３＋ 向Ｅｕ２＋
- 王亮朱美芳郑怀德侯延冰刘丰珍
- 关键词：铕离子注入氧化硅
- Nd^(3+):YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究
- 1985年
- 本文主要介绍如何根据连续激光退火的需要。将Nd^(3+):YAG激光划片机改进和完善成专用连续激光退火设备。简单介绍利用此设备进行激光退火的实验结果。提出研制和生产专用连续激光退火设备的必要性。
- 石万全姚德成刘世祥朱美芳贺令渝陆世勇刘万忠王金生
- 关键词：ND^3+:YAG激光退火半导体激光束退火设备
- 纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理被引量：6
- 1997年
- 用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。
- 许怀哲朱美芳侯伯元陈光华马智训陈培毅
- 关键词：二氧化硅
- 高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究被引量：23
- 1998年
- 采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜．其结构特征用Ｒａｍａｎ谱，红外透射谱，小角Ｘ射线散射等来表征．结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χｃ随氢稀释度的提高而增加．而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少．小角Ｘ射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加．结合红外谱和小角Ｘ射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中Ｈ的键合状态．认为随着晶化的发生和晶化程度的提高Ｈ逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中Ｈ的存在形式从以ＳｉＨ为主向ＳｉＨ２转变，即在微晶硅膜中主要以ＳｉＨ２形式存在于晶粒的界面．
- 郭晓旭朱美芳刘金龙韩一琴刘金龙董宝中生文君许怀哲
- 关键词：氢化微晶硅微结构
- 用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性被引量：2
- 1996年
- 通过光热偏转谱（ＰＤＳ）研究了衬底温度对用超高频辉光放电（ＶＨＦ－ＧＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ光学特性的影响。考虑了电子在缺陷态的相关统计，数字拟合各样品在不同亚稳状态下ＰＤＳ次带吸收谱（０．８～１．７ｅＶ）．获得带尾态，光能隙，缺陷态分布及相关能等电子态结构参数。结果表明，缺陷态分布随光照时间向能隙深处移动，相关能增加。在电中性条件下，用迭代法求出费米能级与电导率，与实验结果吻合较好。分析讨论所用计算模型的可靠性及实用性。
- 朱美芳罗光明
- 关键词：光热偏转稳定性半导体薄膜技术
- 镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究被引量：23
- 1997年
- 采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为２４０ｅＶ光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜的Ｒａｍａｎ谱、光荧光谱及光电子谱的影响．结果表明，荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为１８６和２３０ｅＶ的发光带．Ｓｉ２ｐ能级光电子谱表明与发光强度一样Ｓｉ４＋强度随退火温度增加而增加．Ｓｉ平均晶粒大小为４１—８０ｎｍ，不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射．
- 朱美芳陈国许怀哲韩一琴谢侃刘振祥唐勇陈培毅
- 关键词：荧光谱可见光氧化硅发光性
