姚远
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 不同非磁性金属隔离层对Ni81Fe19自旋阀AMR值的影响
- 2015年
- 利用磁控溅射法,制备三种Ni81Fe19自旋阀结构系列：Cu（7 nm）/Ni81 Fe19（10 nm）/Cu（x）/Ni81Fe19（10 nm）/NiO（25nm）/Cu（4 nm）、Ta（7 nm）/Ni81Fe19（10 nm）/Ta（y）/Ni81Fe19（10 nm）/NiO（25 nm）/Ta（4 nm）、（Ni81 Fe19） 80.7Nb19.3 （2 nm）/Ni81Fe19（10 nm）/Nb（z）/Ni81Fe19（10 nm）/NiO（25 nm）/Nb（3 nm）.研究了自旋阀结构中的不同非磁性金属材料作为隔离层对自旋阀各向异性磁电阻特点的影响以及不同隔离层厚度对其各向异性磁电阻值（AMR的影响.结果表明：Ni81 Fe19自旋阀各向异性磁电阻值及其矫顽力对于不同材料自旋阀隔离层及其厚度具有很强的依赖性.不同非磁性金属材料作为自旋阀隔离层时,矫顽力大小也不相同,在实验中Nb作隔离层的自旋阀矫顽力最小,Cu作隔离层的自旋阀矫顽力最大.在基片温度为450℃的条件下,以Cu为隔离层的自旋阀结构中,Cu层厚度为1 nm时其AMR最大,达到2.8％,灵敏度为1.1 ×10-3％m·A-1;在以Ta为隔离层的自旋阀结构中,Ta层厚度为2 nm时其AMR最大,达到2.6％,灵敏度为2.3×10-3％m·A-1;在以Nb为隔离层的自旋阀结构中Nb层厚度为1.5 nm时其AMR最大,达到3.2％,其灵敏度达4.9×10-3％ m·A-1.
- 姚远王书运黄华雪
- 关键词：自旋阀隔离层矫顽力灵敏度
- Y_2O_3插层对Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响
- 2015年
- 以Y_2O_3作为Ni_(81)Fe_(19)薄膜的氧化插层,利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni_(81)Fe_(19)薄膜样品Ta(4nm)/Y_2O_3(t)/Ni_(81)Fe_(19)(20nm)/Y2O3(t)/Ta(3nm),利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻(AMR),用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线,利用X射线衍射仪(XRD)分析样品薄膜结构,研究了Y_2O_3插层厚度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明,在基片温度为450℃时,Ni_(81)Fe_(19)薄膜AMR值随插层厚度增加先增后减,在插层厚度为2.5nm时样品具有最大AMR,其值为4.61%,比无插层样品的2.69%提高了71.3%。
- 黄华雪王书运姚远高铁军
- 关键词：各向异性磁电阻
- NiFe多层膜磁电阻特性与表征
- NiFe多层膜材料在磁性材料领域占有着非常重要的地位，它的磁电阻具有方向性，在地磁导航等领域内具有较为广阔的应用前景;同时具有较小的饱和磁场值和较高的磁场灵敏度，在传感器，磁头的生产中应用广泛。 本文主要研究的是NiF...
- 姚远
- 关键词：电阻特性磁性能
- 文献传递
- NiFeNb缓冲层和NiO插层对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1
- 2014年
- 采用NiFeNb材料为坡莫合金薄膜的缓冲层,利用磁控溅射系统制备了一系列(Ni81Fe19)80.7Nb19.3(x)/NiO(y)/Ni81Fe19(20 nm)/NiO(y)/Nb(3 nm)坡莫合金薄膜样品,研究了(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层厚度、NiO插层厚度和基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用X射线衍射仪分析样品的微结构,用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应实验系统测量不同基片温度下制备的薄膜的磁滞回线。结果表明:(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层及NiO插层都可有效的提高坡莫合金薄膜的AMR值;对于厚度为20 nm的Ni81Fe19坡莫合金薄膜,在NiFeNb缓冲层厚度为2 nm,NiO层厚度为4 nm,基片温度为450℃的条件下,其AMR值最大达到5.25%,比以Ta为缓冲层的薄膜的AMR值提高了60.6%。此时的坡莫合金薄膜出现了较好的(111)织构和大晶粒现象,减少了晶界对传导电子的散射,导致薄膜的AMR值提高。
- 王书运张慧高垣梅高铁军姚远
- 关键词：各向异性磁电阻
