胡子阳
- 作品数：55 被引量：10H指数：1
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- 一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法,包括依次层状分布的导电衬底、绝缘层、钙钛矿层、PCBM层以及金属电极层，钙钛矿层在光照发生离子迁移(光致离子诱导迁移)，PCBM层对迁移的离子进行捕获，改变金属电...
- 李明晗胡子阳诸跃进
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- 一种基于无机量子点的有机光伏电池及制备方法
- 一种基于无机量子点的有机光伏电池，包括依次层叠的阳极、空穴传输层、有机吸光层、电子修饰层和阴极，所述有机吸光层包括受体材料和给体材料，其特征在于：所述空穴传输层为至少一层无机量子点薄膜，所述无机量子点的吸收光谱在可见光范...
- 胡子阳诸跃进黄利克张科魏文献王昊张享飞
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- 一种钙钛矿太阳能电池电解水制氢集成器件及其制备方法
- 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池电解水制氢集成器件及其制备方法，本发明独创性的将钙钛矿太阳能光伏电池与光化学电池串联在一起，利用低带系的钙钛矿太阳能电池输出电压高的优势，将其与光化学电池并联从而在无外接偏压电源的情况下进行...
- 胡子阳诸跃进张后程
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- 一种采用溴化铯衬底制备钴掺杂钙钛矿太阳能电池的方法
- 本发明公开了一种采用溴化铯衬底制备钴掺杂钙钛矿太阳能电池的方法，包括以下步骤，在导电玻璃层的表面旋涂电子传输层，配置溴化铯溶液，旋涂至电子传输层表面，以形成溴化铯衬底，配置溴化铅溶液，旋涂至溴化铯衬底的表面，以形成溴化铅...
- 诸跃进王晨阳龙涌金张京胡子阳
- 掺杂PEDOT∶PSS对聚合物太阳能电池性能影响的研究被引量：6
- 2011年
- 研究了掺杂后poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT∶PSS)电导率的变化以及掺杂PEDOT∶PSS薄膜对聚合物太阳能电池器件性能的影响.实验发现,向PEDOT∶PSS中掺入极性溶剂二甲基亚砜(DMSO)明显提高了薄膜的电导率,掺杂后的电导率最大值达到1.25S/cm,比未掺杂时提高了3个数量级.将掺杂的PEDOT∶PSS薄膜作为缓冲层应用于聚合物电池(ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/LiF/Al)中,发现高电导率的PEDOT∶PSS降低了器件的串联电阻,增加了器件的短路电流,从而提高了器件的性能.最好的聚合物太阳能电池在100mW/cm2的光照下,开路电压(Voc)为0.63V,短路电流密度(Jsc)为11.09mA·cm-2,填充因子(FF)为63.7%,能量转换效率(η)达到4.45%.
- 郝志红胡子阳张建军郝秋艳赵颖
- 关键词：电导率聚合物太阳能电池能量转换效率
- 一种绒面陷光电极的有机太阳能电池及其制备方法
- 一种绒面陷光电极的有机太阳能电池，以玻璃衬底为衬底，以绒面陷光透明导电膜为前电极，以良好的电子或者空穴传输材料作为修饰层，以聚合物或者小分子的有机材料为吸光层，以高背反射率的铝或银为背电极，并依次构成叠层结构；各层薄膜分...
- 张建军胡子阳赵颖耿新华
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- 一种有机薄膜功能层的制备装置及其方法
- 一种有机薄膜功能层的制备装置，其特征在于：包括溶液池、工作滚筒，源滚筒、辅助滚筒、回收滚筒，所述多个滚筒均通过支架固定，在辅助滚筒和回收滚筒之间设有一加热控制设备。浸入到溶液的柔性导电衬底在工作滚筒的带动下竖直向上运动，...
- 胡子阳诸跃进
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- 面向高帧率CMOS图像传感器的12位列级全差分SAR/SS ADC设计
- 2024年
- 针对高帧率CMOS图像传感器的应用需求,提出一种结合逐次逼近型(Successive Approximation Register,SAR)和单斜坡(Single Slope,SS)结构的混合型模拟数字转换器(Analog to Digital Converter,ADC)。该ADC的分辨率为12位,其中SAR ADC实现高6位量化,SS ADC实现低6位量化。该ADC采用了全差分结构消除采样开关的固定失调并减少非线性误差,同时在SAR ADC中采用了异步逻辑电路进一步缩短转换周期。采用110 nm 1P4M CMOS工艺对该电路进行了设计和版图实现,后仿真结果表明,在20 MHz的时钟下,转换周期仅为3.3μs,无杂散动态范围为77.12 dB,信噪失真比为67.38 dB,有效位数为10.90位。
- 牛志强陈志坤胡子阳王刚刘剑吴南健吴南健
- 一种阶梯式吸收层结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及一种阶梯式吸收层结构的钙钛矿太阳能电池，以层状结构依次包括导电玻璃层、钙钛矿层组和金属电极，其特征在于：所述钙钛矿层组包括层状分布的多个带隙不同的钙钛矿层钙钛矿层组至少包含两层以上的钙钛矿层。相比现有技术，本发...
- 胡子阳诸跃进徐洁
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- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层...
- 曲兆珠赵子奇朱超张后程姜涛胡子阳
