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尤杰

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇导体
  • 4篇异质结
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体异质结
  • 4篇GAAS/A...
  • 3篇栅极
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇电控
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇分块
  • 1篇砷化镓
  • 1篇输运
  • 1篇量子比特
  • 1篇量子输运
  • 1篇金属栅
  • 1篇金属栅极
  • 1篇缓冲层
  • 1篇隔离层

机构

  • 5篇中国科学技术...

作者

  • 5篇尤杰
  • 4篇郭光灿
  • 4篇肖明
  • 4篇郭国平
  • 4篇曹刚
  • 4篇李海欧

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
新型砷化镓量子点的制备与量子输运研究
半导体量子点因其独特的电控性与可集成性逐渐成为量子计算的最可能载体，本文是基于GaAs栅极电控量子点的一系列研究。作为量子计算的基本单元，过去几年在掺杂GaAs量子点中科学家们已经完成关于电荷量子比特和自旋量子比特操作的...
尤杰
关键词：量子点量子比特砷化镓
GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法
本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。
尤杰郭国平李海欧曹刚肖明郭光灿
文献传递
GaAs/AlGaAs半导体异质结结构的霍尔棒及其制作方法
本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体，所述结构体包括GaAs/AlGaAs异质结基片，顶层金属栅极300，其中所述GaAs/AlGaAs异质结基片依次包括GaAs衬底101、AlGaAs缓冲层102、...
李海欧郭国平尤杰曹刚肖明郭光灿
文献传递
GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法
本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。
尤杰郭国平李海欧曹刚肖明郭光灿
文献传递
GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体及其制作方法
本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体，所述结构体包括GaAs/AlGaAs异质结基片，顶层金属栅极300，其中所述GaAs/AlGaAs异质结基片依次包括GaAs衬底101、AlGaAs缓冲层102、...
李海欧郭国平尤杰曹刚肖明郭光灿
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