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钟豪

作品数：20 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇电极
  • 9篇光电
  • 8篇衍射
  • 8篇衍射极限
  • 8篇神经突触
  • 8篇突触
  • 7篇三层结构
  • 7篇探测器
  • 6篇响应度
  • 6篇光电探测
  • 5篇SUB
  • 4篇微纳米结构
  • 4篇纳米
  • 4篇光电探测器
  • 4篇半导体
  • 3篇带隙
  • 3篇端电极
  • 3篇钌合金
  • 3篇光学
  • 3篇光学带隙

机构

  • 20篇电子科技大学

作者

  • 20篇钟豪
  • 19篇蒋亚东
  • 19篇李伟
  • 8篇李东阳
  • 7篇孟文林
  • 7篇侯伟
  • 5篇郭国辉
  • 2篇顾德恩
  • 2篇吕小龙
  • 2篇盛浩
  • 2篇廖家科

年份

  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法
本发明提供一种基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、飞秒激光烧蚀微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<Sup>+</Sup>型区、上电极，飞秒激光烧蚀微结构层...
李伟郭国辉宋钦剑钟豪侯伟蒋亚东
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基于a-Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于a‑Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/a‑Si/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下具有“第二金属层/介质层/第一金属层”垂直三...
李伟侯伟李东阳苟*豪孟文林陈奕丞钟豪蒋亚东
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一种微纳多孔硅材料的制备方法
一种微纳多孔硅材料的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。此方法是为了解决以下问题：传统工艺制备而成的多孔硅表面形貌单一，在吸光、提高光电流增益、延伸光谱响应等特性上有待提高。本发明结合电化学腐蚀法与金属催化刻蚀...
李伟廖家科吕小龙钟豪蒋亚东
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基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于微纳米结构的Si‑APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，其包括P型Si衬底（1）、位于P型Si衬底（1）中心上方的微纳米结构硅层N+区（2）、位于P型Si衬底（1）两侧上方的保护环区即N...
李伟吴程呈渠叶君钟豪蒋亚东
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基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiO<Sub>x</Sub>/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下...
李伟苟*豪侯伟孟文林陈奕丞李东阳钟豪蒋亚东
以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器及其制备方法，以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器包括I型衬底、位于I型衬底下方的N区、位于I型衬底中央上方的微纳米结构层P区、位于I型...
李伟渠叶君吴程呈钟豪蒋亚东
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一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法
一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面中央上方的P型区4、位于硅本征衬底正面中...
李伟盛浩钟豪卢满辉郭国辉蒋亚东
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基于SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>的光读取神经突触器件及其制备方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>的光读取神经突触器件及其制备方法，包括表面等离子波导和忆阻器；表面等离子波导具有从上至下依次设置的第二金属层/SiN<Sub>x</Sub>介质层...
李伟陈奕丞李东阳钟豪顾德恩蒋亚东
晶体硅表面的刻蚀与元素掺杂及其物理效应
晶体硅(C-Si)具有来源丰富、成本低廉和工艺成熟等优点,在微电子和光电子行业被广泛使用.然而,受制于自身反射率高且禁带宽度大等局限,导致基于晶体硅的传统光电探测器存在光谱响应范围有限、灵敏度低、近红外探测能力不足的问题...
钟豪
关键词：晶体硅刻蚀工艺光电特性
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基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，其包括P型Si衬底（1）、位于P型Si衬底（1）中心上方的微纳米结构硅层N+区（2）、位于P型Si衬底（1）两侧上方的保护环区即N...
李伟吴程呈渠叶君钟豪蒋亚东
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