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李文晓

作品数：21 被引量：1H指数：1
供职机构：国防科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 14篇存储器
  • 10篇低功耗
  • 10篇功耗
  • 9篇非易失性
  • 9篇非易失性存储
  • 9篇非易失性存储...
  • 6篇栅结构
  • 6篇超低功耗
  • 5篇氧化层
  • 5篇非易失存储器
  • 5篇标准CMOS...
  • 4篇信号
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇微电子
  • 4篇CMOS工艺
  • 3篇电路
  • 3篇电压
  • 3篇多晶
  • 3篇隧穿

机构

  • 21篇国防科学技术...
  • 2篇湖南晟芯源微...

作者

  • 21篇李文晓
  • 18篇李聪
  • 14篇曾祥华
  • 14篇吴建飞
  • 12篇李建成
  • 11篇尚靖
  • 10篇郑黎明
  • 10篇王宏义
  • 9篇王震
  • 7篇徐顺强
  • 6篇陈娅玲
  • 4篇李松亭
  • 2篇谷晓忱
  • 1篇王震

传媒

  • 1篇计算机工程与...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低功耗可校准高压稳压电路
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种低功耗可校准高压稳压电路，包括隔离高压模块1、电压复位模块一2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二4、电荷补偿模块5和控制模块6；所述隔离高压模块1由一个PMOS晶体管M1构成；...
王宏义李文晓李聪曾祥华郑黎明吴建飞陈娅玲徐顺强
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一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法
本发明属于微电子技术领域，公开了一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法，包括步骤：(1)存储器阵列上电，将存储阵列中所有存储单元端口均连接电压V2；(2)启动写命令，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V...
王宏义李文晓曾祥华李聪陈娅玲徐顺强郑黎明吴建飞
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兼容标准CMOS工艺的伪差分结构非易失性存储器
本发明公开了一种兼容标准CMOS工艺的伪差分结构非易失性存储器，解决了不能与标准CMOS工艺兼容问题，采用了差分输出结构，缩小了存储单元结构的面积，包括多个存储单元，每个存储单元包括控制管、第一隧穿管、第二隧穿管、第三隧...
李文晓李建成李聪尚靖王震吴建飞王宏义谷晓忱李浩
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基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器
本发明公开了一种基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器，包括多个存储单元，其特征在于：每个存储单元包括两个不同的模块，模块A由控制管MA01、第一隧穿管MA02、第一读取管MA03和选择管MA04四个晶体管连接构成；模块B...
李文晓李建成李聪尚靖王震郑黎明曾祥华吴建飞
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一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法
本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅极对...
李建成徐顺强李聪尚靖李文晓吴建飞曾祥华郑黎明
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一种电平转换器
本发明公开了一种电平转换器，包括第一支路和第二支路，第一支路和第二支路的结构是对称的，第一支路和第二支路的选择信号是互补的，输出结果也是对称的，该电路接收信号高电压POSV＝10V，电源电压1.5V以及参考电压GND。该...
李建成王震李聪尚靖李文晓郑黎明曾祥华吴建飞李松亭
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基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器
本发明公开了一种基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了面积，包括多个存储单元，每个存储单元由模块A和模块B组成，模块A由第一增压管AM1、第二增...
李建成李文晓李聪尚靖王震吴建飞王宏义谷晓忱李松亭
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一种提高MOS管击穿电压的结构
本发明公开了一种提高MOS管击穿电压的结构，包括具有第一掺杂类型的硅衬底，所述硅衬底上设置有阱区，所述阱区内设置有源区和漏区，所述源区与漏区之间形成沟道，所述阱上设置有多晶，所述硅衬底与多晶之间形成氧化层；所述阱区内为第...
李建成尚靖李聪李文晓王震郑黎明曾祥华吴建飞
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一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构
本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有超低功耗、高速、适用性强的灵敏放大器结构，由均压模块A、信号传输开关模块B、信号放大模块C构成，均压模块A是用来在电路处于空闲状态时对输入端口IN0、IN1进行置零并均衡这两个输入...
曾祥华王宏义李文晓李聪陈娅玲徐顺强
文献传递
基于深亚微米工艺X芯片的静电防护设计
随着集成电路工艺的不断发展,MOS晶体管的栅氧化层越来越薄,同时为了提高芯片的性能而采取了salicide制程,使得随着工艺尺寸的缩小,半导体器件本身的静电防护能力越来越弱,这对片上ESD(静电放电)设计带来巨大的挑战。...
艾丽云李建成李聪李文晓
关键词：ESD
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