阮聪
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法
- 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，...
- 宋亦旭阮聪孙晓民杨宏军
- 文献传递
- 刻蚀演化仿真及关键参数优化
- 集成电路技术的快速发展对生产工艺提出了越来越高的要求。而刻蚀作为集成电路生产过程中的一个重要环节,其工艺参数对刻蚀结果有着很大的影响。通过刻蚀试验获得工艺参数的方法,效率低,成本高。而通过仿真研究刻蚀演化过程,分析不同工...
- 阮聪
- 关键词：元胞自动机
- 文献传递
- 结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法
- 2014年
- 刻蚀表面仿真是研究等离子体刻蚀工艺过程机理的重要手段.在刻蚀表面仿真方法中,刻蚀表面演化模型和离子刻蚀产额模型直接决定了刻蚀表面演化结果.但现有的刻蚀表面演化模型不够精确,且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物理实验,而实际加工过程十分复杂,等效的离子刻蚀产额包含很多因素.针对这些问题,首先对当前的刻蚀表面演化模型进行改进,同时重新定义了离子刻蚀产额模型的优化目标,并利用实际刻蚀加工数据来优化离子刻蚀产额模型.为缩短优化模型所用时间,采用并行方法来加速优化过程.最后,将得到的离子刻蚀产额模型参数应用于采用元胞自动机法的刻蚀工艺实际仿真过程中.实验结果表明,该优化建模方法确实提高了仿真的精确度,同时优化过程所用时间也大大减少.
- 高扬福孙晓民宋亦旭阮聪
- 关键词：刻蚀速率多目标进化算法
- 元胞方法与蒙特卡洛方法相结合的薄膜生长过程模拟被引量：1
- 2015年
- 利用仿真方法从原子尺度研究薄膜生长过程是当前薄膜研究领域的热点.目前,仿真方法主要在纳米尺度模型实现,时空需求很大.针对这一问题,本文提出元胞和蒙特卡洛相结合的模拟方法,实现对微米尺度模型薄膜生长过程的模拟.利用元胞方法来实现模型表示以及演化计算,从而降低对内存空间的要求,提高计算效率,并使用蒙特卡洛方法计算粒子的扩散概率.通过对氮化硅薄膜生长过程进行具体研究,将模拟结果与实际实验结果和分子动力学演化结果进行表面形貌和成分的比较,验证了该方法的有效性.
- 阮聪孙晓民宋亦旭
- 关键词：薄膜生长蒙特卡洛方法
- 蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法
- 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，...
- 宋亦旭阮聪孙晓民杨宏军
