唐坚
- 作品数：64 被引量：38H指数：5
- 供职机构：沈阳工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划辽宁省科学技术计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法
- 本发明公开了一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法，涉及钛酸盐高熵陶瓷原料技术领域。本发明的一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备，包括筛选筒、筛选机构和圆形底板，筛选筒包括呈同轴设置的外环套和内环套及用于连接外环套...
- 董颖男唐美玲李珊珊牛微唐坚毕孝国刘瑾
- 一种避免热量堆积的超级电容器
- 本发明涉及超级电容器技术领域，具体地说，涉及一种避免热量堆积的超级电容器，包括防护外壳和超级电容器，在所述防护外壳内设有电容仓，所述防护外壳的顶部安装有固定顶盖，将所述电容仓封闭；所述电容仓底部设置有用于焊接超级电容器的...
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- 一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置
- 本发明公开了一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置，固定架一端固定安装有热熔管，热熔管侧端对称焊接有固定卡接板，固定卡接板一端等距卡接有若干个热熔枪，热熔枪进气端与输气管出气端固定连接，热熔枪贯穿安装于热熔管一端，热熔管内侧焊接...
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- 钛酸锶晶体退火过程中氧扩散的有限元分析
- 2015年
- 针对钛酸锶晶体退火过程中氧原子的扩散问题建立了二维有限元模型,研究了温度、晶体尺寸、退火时间对氧原子扩散状态的影响规律。结果表明:氧在短时间内以大通量从晶体表面扩散,然后以小通量比较稳定地向内部缓慢扩散,温度越高,氧扩散到中心时间越短,在700K、800K、900K条件下退火50h,氧从晶体表面扩散到中心的时间分别为8h、5h和3h,退火深度分别为1mm、3mm和退透。
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- 关键词：光学晶体退火有限元模拟
- 一种四氯化钛水溶液配制装置
- 一种四氯化钛水溶液配制装置，属于化工技术领域。包括配制用环境箱及置于环境箱内的储料罐、反应釜、环境箱外的低温冷浴和去离子水除氧水箱，所述环境箱内一侧设有制冷系统，储料罐的出料口通过进料管路连接反应釜进料口，所述进料管路上...
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- 文献传递
- 一种用于焰熔法制备钪酸镝单晶体前驱体的制备方法
- 本发明属于一种用于焰熔法制备钪酸镝单晶体前驱体的制备方法，其以钪和镝氧化物为原料，按比例混合后在一定温度下溶解于双氧水和硝酸溶液。加入沉淀剂，继续升温，沉淀剂水解后发生共沉淀反应，下降至室温后水洗干燥，然后煅烧，得到钪酸...
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- 文献传递
- 金红石单晶体制备方法发展现状被引量：1
- 2017年
- 金红石单晶体拥有较高的双折射率,在可见-红外波段透过性良好,因此,作为特殊介电材料、红外窗口材料、制作光隔离器的材料等,被广泛地应用于现代光学通讯领域。然而,高品质金红石单晶体的生长技术仍然是国际上的难题,相关基础研究理论匮乏。人们尝试过多种方法生长金红石单晶体,但目前比较成功的只有光浮区法和焰熔法。分析了光浮区法和焰熔法的优势和不足。由于焰熔法可制备较大尺寸的晶体,且焰熔法生长设备的技术进步,使其晶体质量得到提高,因此,作为商品应用的金红石晶体主要还是焰熔法制备。指出了使用数字精密控制技术、基于传热学和流体力学设计的焰熔法晶体生长技术是金红石单晶体制备的重要发展方向。
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- 关键词：金红石单晶体焰熔法
- 一种等离子法数控晶体生长炉
- 一种等离子法数控晶体生长炉，属于新材料技术领域。包括晶体生长装置，其晶体生长基座端用于放置籽晶；等离子发生装置置于晶体生长装置的晶体生长室顶部，一端与晶体生长室相通，另一端连接原料供应装置；原料供应装置的物料输送管路的外...
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- 文献传递
- Fe_(78)Si_9B_(13)非晶磁粉芯工艺被引量：2
- 2012年
- 研究了粉末制备方法、粉末粒度、绝缘剂添加量等因素对Fe78Si9B13非晶磁粉芯性能的影响.结果表明,气流磨法得到的粉末比机械法得到的粉末棱角少,多数粉末呈圆片状,利于绝缘包覆,因此,其粉芯磁性能比后者高;粉末粒度越大磁粉芯磁导率越高,但是损耗也越大,所以需要粒级调配,最终确定最佳配比为75~100μm占70%,61~75μm占10%,45~61μm占20%.添加绝缘剂可提高粉末的固有电阻,降低涡流损耗.但绝缘剂含量过大时会降低粉芯的磁导率,本实验确定最佳添加量为4%.
- 唐坚连法增于敏范宪勇
- 关键词：气流磨粉末粒度磁导率损耗
- 焰熔法制备单晶体生长室内的燃烧特性被引量：6
- 2015年
- 以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长单晶体过程中生长室内的燃烧特性。结果表明:在O2和H2的流量分别为6 L/min和20 L/min条件下炉膛中心最高温度为3504.3 K,根据这个结果可确定晶体生长的位置或确定在已知位置晶体生长所需要的最佳流量;随着H2流量的增大,生长室内中心和径向的温度都逐渐提高,而最高温度的位置随着O2流量的增大而逐渐向下移动,中心O2流量每增大1 L/min,最高温度的位置向下移动5 mm,在距喷嘴110 mm处的温度平均升高230℃左右;H2分布圆直径对生长室内中心与径向的温度分布、O2的冲击深度和开始燃烧位置的影响很小。
- 刘旭东毕孝国唐坚牛微董颖男
- 关键词：材料合成与加工工艺焰熔法单晶体燃烧特性
