王洋
- 作品数：19 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池
- 本发明公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化...
- 胡淑红王洋吕英飞孙艳戴宁
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- 一种应用于液相外延生长的组合式纯化母液的方法
- 本发明公开了一种应用于液相外延生长的组合式纯化母液的方法。该方法首先将母液在高纯氢气气氛下高温烘烤3-8小时，然后将母液快速冷却至室温后将微量稀土元素加入到上述母液内熔融1.5-2小时后，炉温缓降至生长温度后拉动滑板使衬...
- 胡淑红吕英飞王洋戴宁
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- 带势垒层结构的砷化铟热光伏电池的液相外延制备方法
- 本发明公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池的液相外延制备方法，该方法通过驱动马达将具有一定过冷度的各个生长源从砷化铟衬底表面推过，从而在衬底表明形成带势垒结构的砷化铟热光伏电池材料结构。本发明的制备方法更为简便，成本...
- 胡淑红王洋吕英飞孙艳戴宁
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- 多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法
- 本发明公开了一种多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法。本发明包括在具有(100)取向的GaAs衬底上生长一层GaSb量子点材料，然后再生长一层GaAs盖帽层将GaSb量子点层钝化保护起来,重复上述周期结构三次...
- 胡淑红邱锋吕英飞王洋戴宁
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- 一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法
- 本发明公开了一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法。本方法具体步骤如下：第一步，熔源的称量，第二步，熔源的两次高温熔融，第三步：生长。本方法特征在于Sb组分并非按照相图配制。本发明的优点在于：可以在低温下获得GaAs...
- 王洋胡淑红吕英飞戴宁
- 具有纯化母液功能的双衬底槽液相外延石墨舟
- 本专利公开了一种具有纯化母液功能的双衬底槽液相外延石墨舟，该石墨舟包括盖板、母液槽、双衬底槽滑板和主体槽，在双衬底槽滑板上有两个相邻的衬底槽A和B，按滑板移动方向，前一个衬底槽A装牺牲片,后一个衬底槽B装生长片，牺牲片用...
- 王洋胡淑红吕英飞戴宁
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- 基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真被引量：1
- 2019年
- 在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作用。通过理论分析和仿真计算,确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分。对于nBip型和pBin型红外探测器,仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度(粒子数浓度),并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响。对于nBip型探测器,当阻挡层厚度为40nm、掺杂浓度为2×10^18 cm^-3时,器件开关比最大;对于pBin型探测器,当阻挡层厚度为60nm、掺杂浓度为4×10^17 cm^-3时,器件的开关比最大。
- 林虹宇谢浩王洋陆宏波孙艳孙艳胡淑红陈鑫
- 关键词：探测器暗电流阻挡层
- 一种热开断部件、液体缝隙式热开关及其开关方法
- 本发明公开了一种热开断部件、液体缝隙式热开关及其开关方法，涉及热开关技术领域，其中热开断部件包括热端本体、冷端本体和支撑筒，热端本体、冷端本体和支撑筒之间围成了一个导热腔体，导热腔体内能够填充有导热介质，热端本体靠近冷端...
- 刘少帅卢李昊应孔快刘康俊王洋陈志超蒋珍华丁磊吴亦农杨宝玉
- 一种具有纯化母液功能的双衬底槽液相外延石墨舟
- 本发明公开了一种具有纯化母液功能的双衬底槽液相外延石墨舟，该石墨舟包括盖板、母液槽、双衬底槽滑板和主体槽，在双衬底槽滑板上有两个相邻的衬底槽A和B，按滑板移动方向，前一个衬底槽A装牺牲片，后一个衬底槽B装生长片，牺牲片用...
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- InAsSb外延薄膜的红外椭圆偏振光谱研究
- 吕英飞周炜王洋俞国林胡淑红戴宁
