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赵海涛

作品数：44 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇医药卫生
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 25篇电路
  • 23篇集成电路
  • 11篇ESD保护
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇钳位电路
  • 8篇静电保护
  • 6篇阴极
  • 6篇双向可控硅
  • 6篇晶体管
  • 6篇可控硅
  • 6篇SOI
  • 6篇SOI结构
  • 6篇ESD保护结...
  • 5篇保护器件
  • 5篇ESD保护器...
  • 4篇阳极
  • 4篇输入端
  • 4篇重掺杂

机构

  • 44篇中国科学院微...
  • 5篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇安徽大学
  • 1篇辽宁大学

作者

  • 44篇赵海涛
  • 38篇蔡小五
  • 36篇刘海南
  • 35篇罗家俊
  • 28篇卜建辉
  • 26篇曾传滨
  • 14篇陆江
  • 4篇赵海涛
  • 4篇李博
  • 4篇张超
  • 4篇赵发展
  • 4篇刘畅
  • 2篇韩郑生
  • 2篇郝乐
  • 2篇宿晓慧
  • 2篇毕津顺
  • 2篇李欣欣
  • 2篇闫薇薇
  • 1篇叶甜春
  • 1篇谭守标

传媒

  • 4篇微电子学与计...
  • 1篇安徽大学学报...
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 10篇2021
  • 10篇2020
  • 7篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种栅压自举开关
本发明公开一种栅压自举开关，涉及集成电路技术领域，以解决解决现有技术中，栅压自举开关的导通速度较低的问题。所述栅压自举开关包括：MOS开关模块，第一开关模块用于在保持阶段向开关管导入低电平；储能模块通过第二开关模块与开关...
陈力蔡小五赵发展赵野郝宁赵海涛闫薇薇
一种ESD钳位电路及集成电路
本发明公开了一种ESD钳位电路及集成电路，该钳位电路包括：电容、电阻、第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管和第六N型晶体管；其中，...
蔡小五罗家俊刘海南陆江曾传滨卜建辉赵海涛
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一种ESD保护结构、集成电路及电子设备
本发明公开了一种ESD保护结构、集成电路和电子设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一N阱区和第一P阱区；位于第一N阱区中的第一N+区、第一P+区、第二N+区和第二P+区；位于第一N阱区和第一P阱区连接处的...
夏瑞瑞蔡小五刘海南曾传滨赵海涛卜建辉高悦欣罗家俊
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双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构
本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：深N型掺杂区内设置第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区、第二P型掺杂区和第三N型掺杂区；在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型...
蔡小五赵海涛刘海南罗家俊曾传滨卜建辉陆江
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一种基于张弛振荡器的时钟产生电路
本发明属于时钟电路技术领域，公开了一种基于张弛振荡器的时钟产生电路，包括：逻辑译码模块U1、偏置电流模块U2、比较器模块、频率选择模块U3、反馈电路模块U4以及负载电容C<Sub>L</Sub>；所述U1的输出端与所述U...
智玉欣蔡小五赵海涛刘海南曾传滨罗家俊
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双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构
本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在深N型掺杂区内设置有第一N型掺杂区、第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在第二P型掺杂区内设置有第二N型重掺...
蔡小五罗家俊刘海南曾传滨赵海涛卜建辉陆江
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一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备
本发明公开了一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一P阱区、第一N阱区和第二P阱区；依次排布的第一P+区、第一N+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区...
夏瑞瑞蔡小五刘海南曾传滨赵海涛卜建辉高悦欣罗家俊
一种晶体管、钳位电路及集成电路
本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，晶体管包括：衬底、氧化物层、硅层；源区和漏区之间为沟道区，其中，源区和漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；沟道区上设置有多晶硅栅极；栅极沿第一方向依次分为第一段区域、第二段区域和第三...
蔡小五罗家俊刘海南陆江卜建辉赵海涛
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一种晶体管、钳位电路及集成电路
本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，晶体管包括：衬底、位于衬底上的氧化物层、位于氧化物层上的硅层；硅层上设置有源区和漏区，源区和漏区之间为沟道区，其中，源区和漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；沟道区上设置有多晶硅，多...
蔡小五罗家俊刘海南曾传滨卜建辉陆江赵海涛
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高边智能功率芯片的高精度电流检测电路被引量：1
2020年
针对常用的高边智能功率芯片,提出一种基于VDMOS(vertical double-diffused MOS)分离元胞技术的高精度电流检测电路.该电路采用高增益、大带宽的折叠式运放,在满足响应速度的同时,增大环路增益以提高电流检测精度.比较电流信号后,输出检测信号的逻辑电平.电流信号的比较输出,降低了电路设计的复杂程度,减少了电压比较器及电阻的运用.电路基于0.25μm BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺进行设计.仿真验证结果表明提出的高边智能功率芯片的电流检测电路具有较高的检测精度.
毕立强蔡小五谭守标赵海涛方侃飞
关键词：电流检测
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