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张庆芳
作品数:
9
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供职机构:
重庆大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
韩根全
重庆大学
刘艳
重庆大学
王轶博
重庆大学
赵斌
重庆大学
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机构
9篇
重庆大学
作者
9篇
张庆芳
8篇
刘艳
8篇
韩根全
4篇
赵斌
4篇
王轶博
年份
1篇
2017
2篇
2016
4篇
2015
2篇
2014
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9
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带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下:在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳
韩根全
张庆芳
王轶博
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带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下:在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳
韩根全
张庆芳
王轶博
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带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法,该双栅场效应晶体管包括半导体材料,栅介质层,栅极,张应变薄膜应变层,该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上,用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变,...
刘艳
韩根全
赵斌
张庆芳
文献传递
带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法,该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区,栅介质层,栅极,绝缘介质层,压应变薄膜应变层,栅介质层形成在半导体材料的第一表面上,且位于导电沟道区的...
刘艳
韩根全
赵斌
张庆芳
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基于GeSn合金的中红外探测与发光器件应变工程研究
锗锡(GeSn)合金的禁带宽度在0~0.66 eV内连续可调,并且当Sn组分大于6.7%时可转变为直接带隙半导体,理论上利用GeSn合金可以将硅(Si)基光子器件的工作波长拓展至中红外甚至远红外。然而,受Ge中Sn固溶度...
张庆芳
关键词:
红外探测
发光器件
弹性力学
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带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法,该双栅场效应晶体管包括半导体材料,栅介质层,栅极,张应变薄膜应变层,该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上,用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变,...
刘艳
韩根全
赵斌
张庆芳
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带有应变源的GeSn红外探测器
本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器,其结构为:在n<Sup>+</Sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102,弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域,G...
刘艳
韩根全
张庆芳
王轶博
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带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法,该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区,栅介质层,栅极,绝缘介质层,压应变薄膜应变层,栅介质层形成在半导体材料的第一表面上,且位于导电沟道区的...
刘艳
韩根全
赵斌
张庆芳
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带有应变源的GeSn红外探测器
本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器,其结构为:在n<Sup>+</Sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102,弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域,G...
刘艳
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