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杨翠柏

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇多量子阱
  • 4篇外延片
  • 3篇透射
  • 3篇透射光
  • 3篇全息
  • 3篇聚光
  • 3篇发光
  • 3篇分光
  • 3篇分光镜
  • 2篇电池
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇阻挡层
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片结构
  • 2篇量子效率
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇绿光
  • 2篇绿光LED
  • 2篇光伏

机构

  • 10篇北京工业大学

作者

  • 10篇王智勇
  • 10篇杨光辉
  • 10篇杨翠柏
  • 7篇张杨
  • 3篇陈丙振
  • 3篇尧舜
  • 3篇张扬

年份

  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2014
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法
一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法，其为LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、N型或者非故意掺杂GaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P...
王智勇张杨杨翠柏杨光辉
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一种Si基GaN的LED结构及其制作方法
一种Si基GaN的LED结构及其制作方法，该其结构依次包括Si衬底、第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN、GaN非掺杂层、P型接触层、高温P型GaN层、P型电子阻挡层、多量子阱层、N型...
王智勇张杨杨翠柏杨光辉
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一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构
一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构，包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N/GaN多量子阱层和p型GaN层，其特点是在高温n型...
王智勇杨翠柏张杨杨光辉
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全息聚光分光太阳能发电模块
一种全息聚光分光太阳能发电模块，其特征在于，包括：全息聚光透镜（1）、一个或多个分光镜（2）、光伏电池组合；其中：所述全息聚光透镜（1）位于光线的入射端；所述一个或多个分光镜（2）位于光线入射端与光伏电池组合之间的光路上...
王智勇陈丙振杨光辉张扬杨翠柏尧舜
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一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法
本发明涉及一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂ITO层代替传统的P型GaN外延层...
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一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法
一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法，该发明在P型氮化镓上制备电流阻挡层的同时制备了金属反射镜材料体系，从而在减少电极下方电流集中注入的现象同时，还可以使入射到电极体系上的部分光线反射回发光二级管内部。取外延结构；运...
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全息聚光分光太阳能发电模块
一种全息聚光分光太阳能发电模块，其特征在于，包括：全息聚光透镜（1）、一个或多个分光镜（2）、光伏电池组合；其中：所述全息聚光透镜（1）位于光线的入射端；所述一个或多个分光镜（2）位于光线入射端与光伏电池组合之间的光路上...
王智勇陈丙振杨光辉张扬杨翠柏尧舜
一种石墨烯结构的LED芯片结构及其制备方法
一种石墨烯结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂石墨烯层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺...
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一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法
一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法，由下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、低温In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N/GaN多量子阱层和高温...
王智勇张杨杨翠柏杨光辉
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全息聚光分光太阳能发电模块
一种全息聚光分光太阳能发电模块，其特征在于，包括：全息聚光透镜（1）、一个或多个分光镜（2）、光伏电池组合；其中：所述全息聚光透镜（1）位于光线的入射端；所述一个或多个分光镜（2）位于光线入射端与光伏电池组合之间的光路上...
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