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陈洪宇

作品数：7 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域：理学电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇MGZNO
  • 2篇紫外波段
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇响应度
  • 2篇波段
  • 1篇导体
  • 1篇电极
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电阻
  • 1篇对立
  • 1篇杂化
  • 1篇射电
  • 1篇能级
  • 1篇驱动式
  • 1篇紫外光电探测...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米颗粒膜

机构

  • 7篇中国科学院长...
  • 4篇中国科学院大...

作者

  • 7篇陈洪宇
  • 6篇申德振
  • 5篇张振中
  • 5篇刘可为
  • 3篇李超群
  • 2篇姜明明
  • 1篇李炳辉
  • 1篇陈星
  • 1篇赵东旭
  • 1篇孙华山

传媒

  • 4篇发光学报

年份

  • 1篇2015
  • 6篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响
2014年
采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O∶Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8%~4.5%。低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性。随着Ga元素的摩尔分数升高至3.1%、3.3%与4.5%,立方相MgZnO中分别出现了Ga2O3、ZnO与ZnGa2O4分相。其中,Ga2O3与ZnGa2O4相的出现是由于Ga的掺杂使这两相在MgZnO基质中饱和析出,而ZnO分相被归因于Ga的引入部分破坏了立方MgZnO的亚稳态结构状态,使组分原本就处于分相区的立方MgZnO出现相分离。
李超群张振中陈洪宇谢修华申德振
关键词：晶体结构
Ag等离子体四极子共振增强ZnMgO近带边激子发光
金属等离子体以其优异的特性被广泛用于提高半导体光电器件的性能.要想实现器件性能的增强,必须要满足两个基本条件:一是要能量匹配;再就是能发生耦合作用.现有的等离子体增强型器件多利用最容易激发且可直接与远场光相互作用的偶极子...
刘可为陈洪宇
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响被引量：4
2015年
利用分子束外延设备(MBE)制备了MgZnO薄膜。X射线衍射谱、紫外-可见透射光谱和X射线能谱表明薄膜具有单一六角相结构,吸收边为340 nm,Zn/Mg组分比为62∶38。采用掩膜方法使用离子溅射设备,在MgZnO薄膜上制备了Au电极,并实现了Au-MgZnO-Au结构的紫外探测器。通过改变溅射时间,得到具有不同Au电极厚度的MgZnO紫外探测器。研究结果表明:随着Au电极厚度的增加,导电性先缓慢增加,再迅速增加,最后缓慢增加并趋于饱和;而Au电极的透光率则随厚度的增加呈线性下降。此外,随着Au电极厚度的增加,器件光响应度先逐渐增大,在Au电极厚度为28 nm时达到峰值,之后逐渐减小。
孙华山刘可为陈洪宇范明明陈星李炳辉申德振
关键词：MGZNO紫外探测器AU电极厚度
一种自驱动式氧锌镁紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种自驱动式氧锌镁紫外探测器及其制备方法，属于紫外探测技术领域，该制备方法包括：采用金属有机化学气相沉积法在衬底上制备氧锌镁薄膜层；在步骤一得到的氧锌镁薄膜层上通过真空热蒸发的方法制备出Au电极层；通过湿法刻蚀...
陈洪宇刘可为张振中姜明明谢修华申德振
文献传递
一种紫外波段具有杂化四极子的Ag纳米材料及其制备方法
本发明提供一种紫外波段具有杂化四极子的Ag纳米材料及其制备方法，属于金属表面等离子体材料技术领域。该方法在蓝宝石衬底上利用金属溅射设备通过控制溅射电流和溅射时间制备Ag纳米颗粒膜，然后在惰性气氛中，将得到的Ag纳米颗粒膜...
陈洪宇刘可为姜明明张振中赵东旭谢修华申德振
文献传递
Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响
2014年
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在Zn O晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂MgxZn1-xO薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO∶Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 me V,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。
李超群张振中谢修华陈洪宇申德振
关键词：MGZNO电阻
电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响被引量：3
2014年
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。利用Au电极,在ZnO薄膜上制备电极间距不同的金属-半导体-金属结构紫外光电探测器。发现随着电极间距从150μm降至5μm,探测器响应度呈现出从15 mA/W到75 mA/W的明显提高。同时,随着电极间距的减小,器件的I-V曲线线形发生了显著改变。这被归结为电极间距变化改变了器件耗尽区宽度和电极间电阻造成的结果。
李超群陈洪宇张振中刘可为申德振
关键词：ZNO光电探测器MSM响应度
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