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王为

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 5篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇终端结构
  • 6篇终端区
  • 6篇半导体
  • 4篇雪崩
  • 4篇功率器件
  • 3篇电路
  • 3篇半导体技术
  • 2篇弹性模量
  • 2篇导电类型
  • 2篇低功耗
  • 2篇电路结构
  • 2篇雪崩击穿
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜板
  • 2篇应力
  • 2篇应力测量
  • 2篇应力测试
  • 2篇体硅
  • 2篇同相
  • 2篇平坦性

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇王为
  • 12篇张波
  • 12篇李泽宏
  • 12篇任敏
  • 12篇张金平
  • 12篇姚鑫
  • 10篇高巍
  • 6篇韩天宇
  • 4篇张建刚
  • 2篇孙勇
  • 2篇杨军
  • 2篇陈伟中
  • 2篇刘永
  • 2篇汪榕
  • 2篇牛博

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇1990
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属薄板屈服应力测量工具及方法
本发明公开了一种金属薄板屈服应力测量工具，包括本体，所述本体具有一曲面，所述曲面的曲率自始端向末端逐渐增大，且所述曲面的曲率与曲面的长度呈函数关系。本发明还公开一种金属薄板屈服应力测试方法，基于金属薄板屈服应力测量工具，...
孙勇杨军张东星郭秋泉王为亨利·沃夫坎普
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一种低功耗IGBT器件及其外围电路
本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种通过工作点自调节实现低功耗的IGBT及其外围自检测与反馈电路。本发明的原理是：利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系，通过采样检测IGBT工作时的电...
任敏陈伟中刘永王为姚鑫杨珏琳李泽宏张金平张波
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一种非均匀超结结构的制作方法
本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种非均匀超结结构的制作方法。本发明的方法为通过对体硅刻蚀之前淀积的光刻胶进行处理，采用多张掩膜板多次叠加曝光，使得待刻蚀区域的光刻胶具有不同的厚度。在随后进行体硅刻蚀中，...
任敏王为姚鑫韩天宇杨珏琳牛博李泽宏张金平高巍张波
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一种PWM波发生电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种频率可调占空比可调的PWM波发生电路。本发明的PWM波发生电路，其特征在于，包括参考电流模块、参考电压模块、比较器CMP1、比较器CMP2、逻辑控制模块、PMOS管MP1、NMO...
李泽宏张建刚王为姚鑫汪榕任敏张金平高巍张波
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一种PWM波发生电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种频率可调占空比可调的PWM波发生电路。本发明的PWM波发生电路，其特征在于，包括参考电流模块、参考电压模块、比较器CMP1、比较器CMP2、逻辑控制模块、PMOS管MP1、NMO...
李泽宏张建刚王为姚鑫汪榕任敏张金平高巍张波
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一种高耐压超结终端结构的制备方法
本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种高耐压超结终端结构的制备方法。本发明的方法为通过两次刻蚀和一次外延填充工艺，在终端区形成比元胞区更深的第二导电类型半导体柱，且在终端区第二导电类型半导体柱顶端引入了第二...
任敏王为姚鑫吴玉舟许高潮李泽宏张金平高巍张波
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1200V RC Trench IGBT的设计
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），作为第三代电力电子产品，是当前功率半导体中最重要的器件之一。IGBT以其优秀的综合性能广泛应用于家用电器、交通运输、电机控制、智能电网等诸多...
王为
关键词：功率半导体器件
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一种超结功率器件终端结构
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种表面电场优化的超结功率器件终端结构。本发明提出的优化超结功率器件表面电场的终端结构在超结功率器件终端区表面设置阶梯形第一导电类型半导体轻掺杂区5，使终端区表面电场平坦性得到了理想的...
任敏姚鑫王为张建刚韩天宇许高潮李泽宏张金平高巍张波
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一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构。本发明在器件终端区中提出终端击穿区，将雪崩击穿点限定在终端击穿区中，从而既避免了元胞击穿的寄生BJT导通问题，又避免了常规终端击穿时的雪崩电流路...
任敏姚鑫王为许高潮韩天宇杨珏琳李泽宏张金平高巍张波
电路优化设计的可变结构法
王为
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