您的位置： 专家智库 > >

王亚敏

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇酞菁
  • 4篇铜酞菁
  • 4篇温度
  • 3篇自组装
  • 3篇氧
  • 1篇单分子
  • 1篇度条件
  • 1篇烷氧基
  • 1篇温度条件
  • 1篇晶型
  • 1篇晶型结构
  • 1篇分子

机构

  • 4篇中国科学院新...

作者

  • 4篇袁群惠
  • 4篇王亚敏
  • 1篇李守柱

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
八辛氧基铜酞菁在石墨表面自组装层温度依赖性结构变化研究
酞菁类分子在传感器领域中的应用广泛,其在基底表面的空间排列常被认为会直接影响其传感效果,因此前人对于其表界面自组装结构的研究已有诸多报道[1]。根据文献,在大气室温环境下CuPcOC分子在HOPG表面可形成四次对称和
袁群惠许宏波王亚敏
文献传递
八辛氧基铜酞菁在石墨表面自组装层温度依赖性结构变化研究
酞菁类分子在传感器领域中的应用广泛,其在基底表面的空间排列常被认为会直接影响其传感效果,因此前人对于其表界面自组装结构的研究已有诸多报道[1].根据文献,在大气室温环境下CuPcOC8分子在HOPG表面可形成四次对称和六...
许宏波王亚敏袁群惠
八辛氧基铜酞菁在石墨表面自组装层温度依赖性结构变化研究
酞菁类分子在传感器领域中的应用广泛,其在基底表面的空间排列常被认为会直接影响其传感效果,因此前人对于其表界面自组装结构的研究已有诸多报道[1].根据文献,在大气室温环境下CuPcOC8 分子在HOPG 表面可形成四次对称...
袁群惠许宏波王亚敏
石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法
本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到...
袁群惠王亚敏李守柱
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0