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秦艳红

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇碲镉汞
  • 3篇碲镉汞材料
  • 2篇探测器
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光液
  • 2篇碲镉汞薄膜
  • 2篇碲镉汞探测器
  • 2篇化学抛光
  • 2篇化学抛光液
  • 1篇平坦化
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面器件
  • 1篇红外
  • 1篇红外材料
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇红外焦平面器...

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇李春领
  • 3篇王春红
  • 3篇秦艳红

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法
本发明公开了一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法，包括：步骤A：将外延制备的碲锌镉基碲镉汞材料正面进行正面平坦化处理；步骤B：将表面平坦化处理后的正面进行标准的碲镉汞器件制备；步骤C：在互连之前将制备的碲镉汞器件正面进行...
李春领王春红秦艳红
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一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法
本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括包括以下步骤：利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；将经过N...
李春领王春红秦艳红
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一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法
本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括以下步骤：利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；将经过N次化...
李春领王春红秦艳红
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