2024年8月22日
星期四
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
刘明山
作品数:
6
被引量:1
H指数:1
供职机构:
重庆大学
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
韩根全
重庆大学
刘艳
重庆大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
5篇
专利
1篇
学位论文
领域
1篇
电子电信
主题
6篇
晶体管
6篇
场效应
6篇
场效应晶体管
5篇
沟道
4篇
双轴
4篇
晶格
4篇
晶格常数
3篇
迁移率
3篇
漏极
2篇
单轴
2篇
电子迁移率
2篇
极区
1篇
低功耗
1篇
电学性能
1篇
氧化物半导体
1篇
异质结
1篇
载流子
1篇
载流子迁移率
1篇
金属氧化物半...
1篇
金属氧化物半...
机构
6篇
重庆大学
作者
6篇
刘明山
5篇
刘艳
5篇
韩根全
年份
1篇
2016
1篇
2015
4篇
2014
共
6
条 记 录,以下是 1-6
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底(101)、源极和漏极(102,103)、GeSn沟道(104)、绝缘介电质薄膜(105)以及栅电极(106)。源漏区域材料的晶格常...
韩根全
刘艳
刘明山
文献传递
带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于:源漏应变源(106)生长在源漏极区域(101),GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜(104),绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵(105...
刘艳
韩根全
刘明山
文献传递
延伸摩尔定律:基于GeSn的高性能、低功耗场效应晶体管研究
摩尔定律经历了半个多世纪的发展,芯片集成度不断增大,性能继续提高。但是随着器件特征尺寸接近纳米量级时,器件制作工艺遇到挑战,短沟道效应等问题已经严重影响到器件性能。根据国际半导体技术蓝图预测,对于14 nm以下技术节点,...
刘明山
关键词:
场效应晶体管
电学性能
异质结
文献传递
无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于:在基底(108)上生长半导体材料(103),半导体材料(103)上面为GeSn沟道(101),在沟道和栅(106)之间是绝缘介电质...
刘艳
韩根全
刘明山
文献传递
带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于:源漏应变源(106)生长在源漏极区域(101),GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜(104),绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵(105...
韩根全
刘艳
刘明山
文献传递
双轴张应变GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底(101)、源极和漏极(102,103)、GeSn沟道(104)、绝缘介电质薄膜(105)以及栅电极(106)。源漏区域材料的晶格常...
刘艳
韩根全
刘明山
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张