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文献类型

  • 10篇中文专利

主题

  • 7篇热电材料
  • 4篇多晶
  • 4篇热导率
  • 4篇硫化
  • 4篇硫化铋
  • 4篇SN
  • 3篇热压
  • 3篇G-S
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇电器件
  • 2篇压头
  • 2篇体缺陷
  • 2篇球磨
  • 2篇热电
  • 2篇热电器件
  • 2篇热电性能
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇纳米晶粒

机构

  • 10篇中国科学院上...

作者

  • 10篇陈小源
  • 10篇杨康
  • 10篇陈海燕
  • 10篇赵玲
  • 6篇王春林
  • 6篇赵艳
  • 4篇王继伟
  • 4篇赵世杰
  • 2篇刘东方
  • 2篇林姗姗
  • 2篇霍德璇
  • 2篇王会利
  • 2篇林珊珊

年份

  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种热电器件单元的制作方法
本发明提供一种热电器件单元的制作方法,至少包括以下步骤:S1:提供一模具,所述模具包括一设有通孔的主体、设置于所述通孔内可上下移动的上压头和下压头、及设置于所述上压头和下压头之间并与所述上压头相配合的间隔件;所述间隔件中...
杨康赵玲王春林陈海燕陈小源刘东方
文献传递
一种提高硫化铋多晶电导率的方法
本发明提供一种提高硫化铋多晶电导率的方法,至少包括以下步骤:提供氯化铋和硫脲作为原料,将氯化铋和硫脲以设定摩尔比混合均匀;将混合均匀的氯化铋和硫脲进行水热反应,得到由硫化铋纳米棒组成的前驱粉体;将所述前驱粉体置于射频感应...
陈海燕赵玲陈小源杨康赵艳王继伟赵世杰
一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法
本发明提供一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法,所述Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料具有层状结构,其化学通式为Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>x</Sub>Sn<Sub>1-x</Sub>M<S...
陈海燕陈小源王春林林珊珊赵玲杨康王会利
文献传递
一种提高硫化铋多晶电导率的方法
本发明提供一种提高硫化铋多晶电导率的方法,至少包括以下步骤:提供氯化铋和硫脲作为原料,将氯化铋和硫脲以设定摩尔比混合均匀;将混合均匀的氯化铋和硫脲进行水热反应,得到由硫化铋纳米棒组成的前驱粉体;将所述前驱粉体置于射频感应...
陈海燕赵玲陈小源杨康赵艳王继伟赵世杰
文献传递
一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
本发明提供一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法,制备方法包括:提供硝酸铋和硫脲作为原料,将硝酸铋和硫脲以设定摩尔比混合均匀;将混合均匀的硝酸铋和硫脲进行水热反应;将所述前驱粉体置于射频感应炉内进行射频感应热压烧结。...
陈小源赵玲陈海燕杨康赵艳王继伟赵世杰
一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法
本发明提供一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法,所述Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料具有层状结构,其化学通式为Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>x</Sub>Sn<Sub>1-x</Sub>M<S...
陈海燕陈小源王春林林珊珊赵玲杨康王会利
文献传递
一种热电器件单元的制作方法
本发明提供一种热电器件单元的制作方法,至少包括以下步骤:S1:提供一模具,所述模具包括一设有通孔的主体、设置于所述通孔内可上下移动的上压头和下压头、及设置于所述上压头和下压头之间并与所述上压头相配合的间隔件;所述间隔件中...
杨康赵玲王春林陈海燕陈小源刘东方
共掺杂Mg‑Si‑Sn 基热电材料及其制备方法
本发明提供一种共掺杂Mg‑Si‑Sn基复合热电材料、亚微米晶热电材料及其制备方法,所述热电材料的化学通式为Mg<Sub>2</Sub>R<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>Sn<Sub>1‑y</Sub>...
陈海燕林姗姗王春林霍德璇陈小源赵玲赵艳杨康
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共掺杂Mg-Si-Sn 基热电材料及其制备方法
本发明提供一种共掺杂Mg-Si-Sn基复合热电材料、亚微米晶热电材料及其制备方法,所述热电材料的化学通式为Mg<Sub>2</Sub>R<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>Sn<Sub>1-y</Sub>...
陈海燕林姗姗王春林霍德璇陈小源赵玲赵艳杨康
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一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
本发明提供一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法,制备方法包括:提供硝酸铋和硫脲作为原料,将硝酸铋和硫脲以设定摩尔比混合均匀;将混合均匀的硝酸铋和硫脲进行水热反应;将所述前驱粉体置于射频感应炉内进行射频感应热压烧结。...
陈小源赵玲陈海燕杨康赵艳王继伟赵世杰
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共1页<1>
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