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郑龙

作品数：51 被引量：1H指数：1
供职机构：江苏理工学院更多>>
发文基金：博士科研启动基金更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 28篇相变存储
  • 28篇存储器
  • 27篇相变存储器
  • 21篇晶态
  • 20篇功耗
  • 13篇SUB
  • 12篇溅射
  • 12篇SB
  • 10篇电阻
  • 10篇相变
  • 9篇低功耗
  • 9篇热稳定
  • 9篇热稳定性
  • 9篇晶化
  • 8篇晶格
  • 8篇激活能
  • 8篇超晶格
  • 7篇射频溅射
  • 7篇相变特性
  • 7篇复合相变

机构

  • 50篇江苏理工学院

作者

  • 50篇郑龙
  • 41篇朱小芹
  • 37篇胡益丰
  • 35篇袁丽
  • 34篇吴卫华
  • 33篇眭永兴
  • 31篇邹华
  • 30篇薛建忠
  • 23篇吴世臣
  • 21篇孙月梅
  • 20篇张建豪
  • 8篇张剑豪
  • 8篇翟良君
  • 5篇尤海鹏
  • 4篇刘波
  • 4篇裴明旭
  • 2篇吴晓庆
  • 1篇贺乃宝
  • 1篇陆毅
  • 1篇朱洪锦

传媒

  • 1篇江苏理工学院...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 14篇2018
  • 9篇2017
  • 10篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法
本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Er<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</...
邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华薛建忠眭永兴
文献传递
一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，所制备的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
文献传递
一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法
一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(Sb<Sub>x</Sub>Se<Sub>1‑x</Sub>)<Sub>1‑y</Sub>Ti<Sub>y</Sub>，其中，0.25&l...
吴卫华朱小芹眭永兴郑龙胡益丰邹华
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一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法
本发明公开了一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其组分表达式为CexSby，其中x，y为原子百分比，0&lt;x≤0.10,0.90&lt;y≤1,x+y＝1.00。本发明所提供的相变材料可实现可逆的相变过程，且相变前后...
张剑豪邹华胡益丰朱小芹薛建忠郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华眭永兴
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一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
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一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料及其制备方法
本发明公开了一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其组分表达式为Ln<Sub>x</Sub>(Zn<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</Sub>，其中x，y，i,j为原子百分比，0&lt...
邹华张建豪胡益丰朱小芹孙月梅郑龙眭永兴
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用于高速低功耗相变存储器的Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga<Sub>40</Sub>Sb<Sub>60</Sub>层和Sb层...
邹华胡益丰朱小芹眭永兴郑龙吴卫华吴世臣袁丽薛建忠张剑豪
一种用于相变存储器的Al/Ge<Sub>10</Sub>Sb<Sub>90</Sub>类超晶格相变薄膜材料及制备方法
本发明属于微电子领域相变材料及其制备方法，特别是涉及一种用于相变存储器的Al/Ge<Sub>10</Sub>Sb<Sub>90</Sub>类超晶格相变薄膜材料及制备方法。一种用于相变存储器的Al/Ge<Sub>10</S...
邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙孙月梅袁丽眭永兴
一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu<Sub>28</Sub>Sn<Sub>33</Sub>Se<Sub>39</Sub>，所述Cu‑S...
胡益丰尤海鹏朱小芹邹华袁丽张剑豪孙月梅薛建忠吴世臣吴卫华郑龙翟良君
氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为N<Sub>x</Sub>（Zn<Sub>15</Sub>Sb<Sub>85</Sub>）<Sub>1‑x<...
朱小芹胡益丰薛建忠吴卫华眭永兴郑龙袁丽江向荣
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