赵洪利
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度被引量：1
- 2015年
- 直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对前栅界面与背界面分别进行了测试.基于DCIV理论,将实验得到的界面复合电流值与理论公式做最小二乘拟合,不仅获得了各界面态密度,也得到界面态密度所在的等效能级.结果表明,采用了智能剥离技术制备的SOI NMOS器件背界面态密度量级为1010cm-2,前栅界面的态密度小于背界面的,量级为109cm-2,并给出了两界面态面密度所在的等效能级.
- 赵洪利高林春曾传滨刘魁勇罗家俊韩郑生
- 关键词：SOINMOS器件
- 部分耗尽SOI器件背栅界面陷阱密度的提取被引量：1
- 2015年
- 利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度。给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界面复合电流进行测试。将实验得到的界面复合电流值与理论公式作最小二乘拟合,不仅可以获得背界面陷阱密度,还可以得到界面陷阱密度所在的等效能级。结果表明,采用智能剥离技术制备的SOI器件的背界面陷阱密度量级均为1010cm-2,但NMOS器件的背界面陷阱密度略大于PMOS器件,并给出了界面陷阱密度所在的等效能级。
- 赵洪利高林春曾传滨刘魁勇罗家俊韩郑生
- DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布被引量：3
- 2015年
- 基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图。分别对部分耗尽的n MOS/SOI和p MOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图。结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109cm-2·e V-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011cm-2·e V-1。
- 赵洪利曾传滨刘魁勇刘刚罗家俊韩郑生
- 关键词：最小二乘拟合
